[发明专利]功率放大电路在审
| 申请号: | 201810223617.8 | 申请日: | 2018-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN108631735A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | 阿部敬之 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/21;H03F3/45 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邸万奎 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体管 功率放大电路 漏极 电容器 端子连接 输出信号 信号输出 源极连接 变压器 电源 输出 转换 | ||
功率放大电路包括:源极连接到第1电源,以栅极接受输入信号的第1晶体管;具有第1端子和第2端子,第1端子连接到第1晶体管的漏极的电容器;以及连接在第2端子和第1晶体管的栅极之间,转换从第2端子输入的第1信号,将具有与第1信号不同的相位的第2信号输出到第1晶体管的栅极的变压器,从第1晶体管的漏极输出输出信号。
技术领域
本发明涉及功率放大电路。
背景技术
近年来,随着以通信和雷达为代表的无线技术的利用增加,可分配的频带日益紧张。为了缓和频率紧张,例如,利用以毫米波波段、太赫频段为代表的高频频段。例如,在60GHz频段为毫米波频带中的通信中,79GHz频段被用于毫米波雷达。预计今后在毫米波波段、太赫频段工作的无线IC(Integrated Circuit)会广泛普及,所以在研究低价地制造无线IC。
普通的无线IC,以半导体为材料,通过CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor;互补金属氧化物半导体)工艺来制造。CMOS工艺能够低价制造集成度高的小型的无线IC。另一方面,由CMOS工艺制造的无线IC,与其他工艺比较,高频性能低,例如,难以在高频中得到功率增益。为了使无线IC稳定地动作,在开展功率放大电路的工作的稳定、高增益技术的研发。
例如,在非专利文献1中,公开了通过消除晶体管的栅极和漏极之间的寄生电容的影响的交叉耦合电容器,能够实现功率放大电路的工作的稳定、高增益的功率放大电路。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1:“A 60GHz CMOS Power Amplifier Using Capacitive Cross-Coupling Neutralization with 16%PAE”European Microwave Conference.(EuMC),2011
发明内容
可是,非专利文献1中公开的电路为输入输出差动信号的结构,所以功耗增加。
本发明的非限定的实施例,有助于提供可以抑制功耗的增加,能够以高增益进行稳定的工作的功率放大电路。
本发明的一方式的功率放大电路包括:其源极连接到第1电源,以栅极接受输入信号的第1晶体管;具有第1端子和第2端子,所述第1端子连接到所述第1晶体管的漏极的电容器;以及连接在所述第2端子和所述第1晶体管的栅极之间,转换从所述第2端子输入的第1信号,将具有与所述第1信号不同的相位的第2信号输出到所述第1晶体管的栅极的变压器,从所述第1晶体管的漏极输出输出信号。
再者,这些概括性的并且具体的方式,可以通过系统、方法、集成电路、计算机程序或记录介质方式实现,也可以通过系统、装置、方法、集成电路、计算机程序和记录介质的任意的组合来实现。
发明的效果
根据本发明的一方式,有助于可以抑制功耗的增加,以高增益进行稳定的工作。
从说明书和附图中将清楚本发明的一方式中的更多的优点和效果。这些优点和/或效果可以由几个实施方式和说明书及附图所记载的特征来分别提供,不需要为了获得一个或一个以上的同一特征而提供全部特征。
附图说明
图1是表示使用了交叉耦合电容器的差动放大电路的结构的图。
图2是表示本发明的实施方式1的功率放大电路的结构例子的图。
图3A是表示本发明的实施方式1的功率放大电路的MAG的特性的图。
图3B是表示本发明的实施方式1的功率放大电路的Kf的特性的图。
图4A是表示具备耦合系数不同的变压器的功率放大电路的MAG的特性的图。
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