[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

光电二极管，形成在衬底中，其中，所述光电二极管具有位于掺杂有第一浓度的第一掺杂类型的所述衬底中的第一半导体区以及设置在所述第一半导体区上方并且掺杂有第二浓度的第一掺杂类型的第二半导体区，所述第二浓度高于所述第一浓度；

至少一个晶体管，具有从所述衬底的主表面至少部分地延伸到所述衬底中的栅极部件，所述至少一个晶体管的栅极部件包括在所述衬底的主表面之上延伸的第一部分和从所述衬底的主表面延伸到所述衬底中的第二部分；以及

隔离部件，延伸到所述衬底中，围绕所述光电二极管和所述至少一个晶体管，其中，所述隔离部件的至少部分直接接触所述至少一个晶体管的栅极部件的第二部分，

其中，所述光电二极管和所述至少一个晶体管至少部分地形成像素。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体区掺杂有第二掺杂类型。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型彼此不同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极部件的第二部分的底面与所述隔离部件的底面齐平。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个晶体管的栅极部件的第一部分横向地连接至所述第一半导体区，并且所述至少一个晶体管的栅极部件的第二部分与所述第一半导体区横向地间隔开。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个晶体管的栅极部件包括栅极氧化物层和多晶硅层，所述栅极氧化物层和所述多晶硅层均包括沿所述衬底的主表面延伸的横向部分和延伸到所述衬底中的垂直部分。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个晶体管是所述像素的传输门晶体管。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极部件的第三部分，从所述第一部分横向延伸并且倾斜。

9.一种半导体器件，包括：

光电二极管，形成在衬底中，其中，所述光电二极管具有位于掺杂有第一浓度的第一掺杂类型的所述衬底中的第一半导体区以及设置在所述第一半导体区上方并且掺杂有第二浓度的第一掺杂类型的第二半导体区，所述第二浓度高于所述第一浓度；以及

至少一个晶体管，具有栅极部件，其中，所述栅极部件包括第一部分和连接至所述第一部分的端部的第二部分，所述第一部分设置在所述衬底的主表面之上并且沿着所述衬底的主表面延伸，以及所述第二部分从所述衬底的主表面延伸到所述衬底中；以及

隔离部件，延伸到所述衬底中，围绕所述光电二极管和所述至少一个晶体管，其中，所述隔离部件的至少部分直接接触所述至少一个晶体管的栅极部件的第二部分，

其中，所述光电二极管和所述至少一个晶体管至少部分地形成像素。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括，栅极部件的第三部分，从所述第一部分横向延伸并且倾斜。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一半导体区掺杂有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型彼此不同。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述至少一个晶体管的栅极部件的第一部分横向地连接至所述第一半导体区，并且所述至少一个晶体管的栅极部件的第二部分与所述第一半导体区横向地间隔开。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述至少一个晶体管的栅极部件包括栅极氧化物层和多晶硅层，所述栅极氧化物层和所述多晶硅层均包括沿所述衬底的主表面延伸的横向部分和延伸到所述衬底中的垂直部分。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述至少一个晶体管是所述像素的传输门晶体管。