[发明专利]管理闪存中所储存的数据的方法及相关记忆装置与控制器

说明书

本发明公开了一种记忆装置、记忆装置的控制器和一种管理一闪存中所储存的数据的方法，其中该闪存包含多个区块，且该方法包含有：提供一数据表，其中该数据表记录了该多个区块中已被写入数据的区块，以及其数据写入时间的顺序；侦测该多个区块中一第一区块的质量以产生一第一侦测结果，其中该第一区块为该数据表中所记录的数据写入时间最早的区块；以及依据该第一侦测结果来决定是否将该第一区块的内容搬移到一空白区块中，并将该第一区块的内容删除。本发明可以避免区块因为数据保留时间过长而造成记忆体单元的临界电压分布改变以及数据失真的情形。

本发明要求中华人民共和国申请号201310318163.X(申请日2013年07月25日，标题为“管理闪存中所储存的数据的方法及相关记忆装置与控制器”)的优先权，以上申请案的所有内容以引用方式纳入。

技术领域

本发明涉及闪存(Flash Memory)，尤指一种管理闪存中所储存的数据的方法，及相关的记忆装置与控制器。

背景技术

闪存可通过电子式的抹除(erase)与写入/程序化(program)以进行数据储存，并且广泛地应用于记忆卡(memory card)、固态硬盘(solid-state drive)与可携式多媒体播放器等等。由于闪存为非挥发性(non-volatile)记忆体，因此，不需要额外电力来维持闪存所储存的信息，此外，闪存可提供快速的数据读取与较佳的抗震能力，而这些特性也说明了闪存为何会如此普及的原因。

闪存可区分为NOR型闪存与NAND型闪存。对于NAND型闪存来说，其具有较短的抹除及写入时间且每一记忆体单元需要较少的芯片面积，因而相较于NOR型闪存，NAND型闪存会允许较高的储存密度以及较低的每一储存位的成本。一般来说，闪存是以记忆体单元数组的方式来储存数据，而记忆体单元是由一浮动栅极晶体管(floating-gate transistor)来加以实作，且每一记忆体单元可通过适当地控制浮动栅极晶体管的浮动栅极上的电荷个数来设定导通该浮动栅极晶体管所实作的该记忆体单元的所需临界电压，进而储存单一个位的信息或者一个位以上的信息，如此一来，当一或多个预定控制栅极电压施加于浮动栅极晶体管的控制栅极之上，则浮动栅极晶体管的导通状态便会指示出浮动栅极晶体管中所储存的一或多个二进制数(binary digit)。

然而，由于某些因素，闪存单元中原本储存的电荷的个数可能会受到影响/扰乱，举例来说，闪存中所存在的干扰可能来自于保持干扰(retention disturbance)，且闪存单元中原本储存的电荷的个数也有可能因为高温而造成变化。因此，由于数据保留时间(retention time)及/或温度影响的缘故，闪存单元中的记忆体单元的临界电压分布(threshold voltage distribution)便会有所改变，因此，读取记忆体单元中所储存的信息可能会因为改变后的临界变压分布而无法正确地获得所储存的信息。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于公开一种管理闪存中所储存的数据的方法，及相关的记忆装置与控制器，其可以避免记忆体单元中所储存的信息过度失真，以解决上述的问题。

依据本发明一实施例，公开一种管理一闪存中所储存的数据的方法，其中该闪存包含多个区块，该方法包含有：提供一数据表，其中该数据表记录了该多个区块中已被写入数据的区块，以及其数据写入时间的顺序；侦测该多个区块中一第一区块的质量以产生一第一侦测结果，其中该第一区块为该数据表中所记录的数据写入时间最早的区块；以及依据该第一侦测结果来决定是否将该第一区块的内容搬移到一空白区块中，并将该第一区块的内容删除。

依据本发明另一实施例，一种记忆装置包含有一闪存以及一控制器，其中该闪存包含多个区块，且该控制器包含有一记忆体以储存一数据表，其中该数据表记录了该多个区块中已被写入数据的区块，以及其数据写入时间的顺序，该控制器侦测该多个区块中一第一区块的质量以产生一第一侦测结果，其中该第一区块为该数据表中所记录的数据写入时间最早的区块；以及依据该第一侦测结果来决定是否将该第一区块的内容搬移到一空白区块中，并将该第一区块的内容删除。