[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法

说明书

本公开涉及一种图像传感器，包括：第一光电二极管，用于转换可见光，所述第一光电二极管包括第一半导体材料；以及第二光电二极管，用于转换红外光，所述第二光电二极管包括第二半导体材料，其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管在与所述图像传感器的主表面平行的平面图中至少部分重叠；并且所述第一光电二极管比所述第二光电二极管更靠近所述图像传感器的用于接收光的上表面。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开的图像传感器在可见光照射和红外光照射的情况下均能够感测图像。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种图像传感器及形成图像传感器的方法。

背景技术

一些图像传感器需要在可见光照射和红外光照射的情况下均能够感测图像。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新型的图像传感器及形成图像传感器的方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括：第一光电二极管，用于转换可见光，所述第一光电二极管包括第一半导体材料；以及第二光电二极管，用于转换红外光，所述第二光电二极管包括第二半导体材料，其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管在与所述图像传感器的主表面平行的平面图中至少部分重叠；并且所述第一光电二极管比所述第二光电二极管更靠近所述图像传感器的用于接收光的上表面。

根据本公开的第二方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：形成用于转换红外光的第二光电二极管和用于转换可见光的第一光电二极管，所述第一光电二极管包括第一半导体材料，所述第二光电二极管包括第二半导体材料，其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管在与所述图像传感器的主表面平行的平面图中至少部分重叠；并且所述第一光电二极管比所述第二光电二极管更靠近所述图像传感器的用于接收光的上表面。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图2是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图3a至图3d是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的结构的示意图。

图4是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的一部分的结构的示意图。

图5是以沿图4中的A-A线的截面图的形式示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图6至图10是分别示出了在根据本公开一个示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的各个步骤处的图像传感器的截面的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。