[发明专利]有机发光二极体显示器及其光学补偿方法在审
申请号: | 201810215125.4 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN108493214A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 翁瑞兴 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光二极体 光学补偿 显示器 亮度信息 感光组件 软性基板 次像素 侦测 发光 制作 分析 | ||
本发明提供了一种有机发光二极体显示器及其光学补偿方法,其在显示器内部的软性基板上制作感光组件,以侦测每一个次像素有机发光二极体的亮度信息。透过分析亮度信息,可以计算出需要的光学补偿参数,藉此调整有机发光二极体的发光亮度。
技术领域
本发明之技术涉及显示荧幕领域,特别是指一种内建光学补偿结构,可自行侦测及调整每个次像素发光亮度有机发光二极体显示器。
背景技术
集成电路面板显示技术历经了不同世代的演变,在有机发光二极体(OLED)发光材料的寿命大幅提高后,有机发光二极体显示器开始大量的商品化。目前的有机发光二极体显示器,有平面固定不可弯式(Rigid type)以及可弯折式(Flexible type)两种。平面固定不可弯式的有机发光二极体显示器通常使用玻璃基板,而可弯折式的有机发光二极体显示器通常使用软性可弯折的材质当作基板,例如聚亚酰胺(Polyimide,PI)。
请参阅图1所示,其为一般可弯折式有机发光二极体显示器结构示意图。可弯折式有机发光二极体显示器的制作,通常是在硬式基板10(如玻璃基板)上,先形成一层软性基板20(如聚亚酰胺基板),然后再开始进行后续的薄膜电晶体30(TFT)与有机发光二极体40(OLED) 制程。之后再把软性基材由硬的基板上取下。而为了增加有机发光二极体基板支撑性,有时候设计为双层软性基板(20,20a)。
主动式有机发光二极体显示器(AMOLED display)的面板主要组成为由复数个薄膜电晶体组成的薄膜电晶体层以及与该等薄膜电晶体相对应的有机发光二极体层,有机发光二极体层包括矩阵式排列的复数个有机发光二极体,每一个有机发光二极体称为一次像素 (sub-pixel),且每一个次像素的都透过与其相对应的薄膜电晶体驱动。由于有机发光二极体是电流驱动元件,而薄膜电晶体驱动元件每个个体间的特性微小差异,会导致面板的发光亮度差异极大。薄膜电晶体与有机发光二极体的特性差异,会导致有机发光二极体模组显示的亮度不均匀,也就是显示器亮度不均匀(Mura issue)。在有机发光二极体面板内部,次像素电路主要是为了补偿驱动薄膜电晶体的操作临界电压(Vth)特性变异。但是,此补偿方式无法补偿薄膜电晶体其他参数以及有机发光二极体特性的变异。因此目前的显示器制造商多是利用外部补偿方法进行光学补偿(optical-compensation),称为有机发光二极体亮度不均匀消除 (De-mura),让有机发光二极体发出均匀的亮度。
外部亮度不均匀消除技术大致上可分为电性侦测补偿法与光学侦测补偿法。外部电性补偿法通常是由外部驱动电路提供电压予每一个有机发光二极体显示像素,侦测每一个显示像素的电流-电压(I-V)特性,再计算每一个次像素的补偿系数后,以修正影像资料。然而电性侦测补偿法仅能纯电性的对薄膜电晶体或有机发光二极体特性预先侦测,无法侦测有机发光二极体最后呈现出来的亮度差异。因此并无法完全补偿亮度的不均匀性。
外部光学补偿法是用光学仪器直接侦测有机发光二极体面板中,每一个次像素的亮度信息。其运作方式括下列步骤:a.用精确的光学仪器,纪录有机发光二极体面板每一个次像素的亮度信息。b.计算并产生每一个次像素的补偿参数。c.压缩补偿参数并写入快写记忆体(Flash memory)。d.显示时,驱动电路先由快写记忆体读取补偿信息并解压缩,驱动电路再根据补偿信息修改影像资料后,提供给有机发光二极体进行显示。
然而外部光学补偿法需要用到极高分辨率的光学仪器,才能侦测每一个次像素的亮度,基本上都建议需要至少四倍荧幕分辨率像素的光学仪器。如此高的分辨率,在截取图片/运算 /数据传输/储存等方面,会需要较多的时间与储存空间。再者,需要利用快写记忆体储存光学补偿信息,因而更加提高了制作成本。
此外,外部光学补偿法只适用于平面固定不可弯式的有机发光二极体显示器,或是在有机发光二极体弯曲组装前,在有机发光二极体平整的状况下进行侦测。因此,在曲面贴合后或是后续制程中的温度影响了有机发光二极体的特性,都将无法进行光学补偿。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的