[发明专利]一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法

说明书

本发明公开了一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法，其是选用含有紫外吸收剂的透明基底层，同时在银纳米线导电层上设置光固化树脂层，在光固化树脂层上设置抗氧化保护层，从而使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺。采用本发明的方法，经过刻蚀工艺后银纳米线透明导电膜在UV光照射下500h内不发生颜色变化，且常温通电稳定性、UV光照弯曲电阻稳定性、高温高湿环境电阻稳定性、耐溶剂性擦拭性皆明显提升。

技术领域

本发明涉及用于刻蚀工艺的显示的电子功能元件，具体涉及一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法。

背景技术

透明导电膜是指通过物理或化学镀膜方法均匀制备出的一层透明的导电薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、高分子膜系、其他化合物膜系及复合膜系等。目前，透明导电膜应用材料的研究主要集中于石墨烯、银纳米线、ITO、AZO、高分子导电聚合物。透明导电膜的基本特性为在可见光范围内具有低电阻率和高透过率，因此，透明导电膜广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、防静电、防微波辐射等领域。

ITO透明导电膜一般分为三层：第一层为起保护作用的硬化层(HC)、第二层为起支持作用的基材层(PET)和第三层为起导电作用的导电层。以ITO为例，透明导电膜的主要测试指标为：透过率、电阻性能、耐高温高湿性能、耐环境特性、耐久性。

在2000年以后，透明导电膜形成主要以ITO材料为主、其他透明导电膜为辅的透明导电膜市场环境。ITO透明导电膜的制备中使用磁控溅射技术，该技术在小尺寸、刚性界面时具有优异的特性，但在大尺寸和柔性界面时表现为良率较低、电阻均一性差。随着电子器件的轻便化和小型化，柔性衬底上透明导电薄膜的研究将越来越受关注，并可成为硬质衬底透明导电薄膜的替换产品。目前柔性透明导电膜中最具有应用前景的材料为具有高导电性、大曲面绕曲的银纳米线材料。银纳米线导电膜是通过在有机柔性透明基底层上涂覆银纳米线导电油墨形成银纳米线导电层而获得，其不但具有透明导电膜的光电特性，而且更具有独特优点，如：重量轻、可弯曲、不宜破碎、易于大面积生产、便于运输等。

银纳米线透明导电膜替代ITO需要使用刻蚀工艺获得精细的电极图案。为了尽快的导入市场，现有的研发银纳米线导电膜的公司采用传统ITO电极图案化的刻蚀工艺对银纳米线导电膜进行图案化处理。传统的ITO电极图案化方法是：在导电膜上旋涂(印刷)光刻胶，经前烘、曝光、显影等光刻工序处理后，形成ITO保护层的图形化；再将附有保护层图形的待腐蚀半导体基片浸入控制在一定温度范围内的腐蚀液中腐蚀；最后，将取出的半导体基片用去离子水冲洗干净，放入剥离液中去胶，然后依次经三氯乙烯和甲醇处理，得到图形化的ITO电极。但是，目前将激光刻蚀工艺或是黄光工艺应用于银纳米线透明导电膜会出现下述技术问题：一、使有机物或透明导电膜发生反应导致颜色变化，通电稳定性差；二、弯曲通电稳定性、UV光照通电稳定性、常温环境和高温高湿环境通电稳定性差；三、耐溶剂擦拭性差。

发明内容

为避免上述现有技术所存在的不足之处，本发明提供了一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法。

为了实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：

本发明使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法，所述银纳米线导电膜是在透明基底层的表面设置有银纳米线导电层，其特点在于：选用含有用于吸收200～400nm波段紫外光的紫外吸收剂的透明基底层，同时在所述银纳米线导电层上设置光固化树脂层，在所述光固化树脂层上设置抗氧化保护层，从而使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺。

进一步地，所述的紫外吸收剂为水杨酸酯类、二苯甲酮类、苯并三唑类、取代丙烯腈类或三嗪类紫外吸收剂。

进一步地，所述的光固化树脂层是通过在所述银纳米线导电层上涂覆光固化树脂，再经UV光固化形成；所述的光固化树脂的各原料按质量份的构成为：

聚氨酯丙烯酸酯 0.1～10份；