[发明专利]芯片级图像传感器封装及相关制造方法

权利要求书

1.一种芯片级图像传感器封装，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有(i)像素阵列和(ii)围绕所述像素阵列的外围区域；

透明衬底，所述透明衬底覆盖所述像素阵列，具有靠近所述像素阵列的底部衬底表面和与所述底部衬底表面相对的顶部衬底表面；

薄膜，所述薄膜位于(i)全部所述像素阵列和(ii)与所述像素阵列相邻的所述外围区域的一部分两者的正上方的所述顶部衬底表面的区域上，在垂直于所述顶部衬底表面的第一截面中，所述透明衬底在平行于所述顶部衬底表面的第一方向上比所述薄膜宽；和

多个导电焊盘，所述多个导电焊盘在所述外围区域内并且电连接到所述像素阵列，所述多个导电焊盘中的每一个的一部分不是位于所述薄膜的正下方，

其中所述薄膜是具有对应于可见光和近红外光中的一个的通带的多层膜。

2.根据权利要求1所述的芯片级图像传感器封装，其中所述透明衬底在所述第一方向上比所述薄膜宽了至少所述多个导电焊盘的最大宽度。

3.根据权利要求1所述的芯片级图像传感器封装，其中在垂直于所述顶部衬底表面和所述第一截面两者的第二截面中，所述透明衬底在平行于所述顶部衬底表面的第二方向上比所述薄膜宽。

4.根据权利要求3所述的芯片级图像传感器封装，其中所述透明衬底在所述第二方向上比所述薄膜宽了至少所述多个导电焊盘的最大宽度。

5.一种经封装的图像传感器晶圆，包括：

器件晶圆，所述器件晶圆具有(i)在所述器件晶圆的第一表面上的多个像素阵列以及(ii)围绕所述多个像素阵列的外围区域；

透明晶圆，所述透明晶圆覆盖所述多个像素阵列中的每一个，具有靠近所述多个像素阵列中的每一个的底部晶圆表面以及与所述底部晶圆表面相对的顶部晶圆表面；

多个薄膜，所述多个薄膜位于所述顶部晶圆表面上，所述多个薄膜中的任两个相邻薄膜由其间的所述顶部晶圆表面的膜间区域隔开，所述多个像素阵列中的每一个完全位于所述多个薄膜中的相应一个的下方；和

在所述外围区域内的多个导电焊盘，每个所述导电焊盘电连接到所述多个像素阵列中的一个，所述多个导电焊盘中的每一个的一部分位于所述膜间区域的正下方，

其中所述薄膜是具有对应于可见光和近红外光中的一个的通带的多层膜。

6.根据权利要求5所述的经封装的图像传感器晶圆，其中所述多个导电焊盘中的每一个的整体位于所述膜间区域的正下方。

7.一种用于形成芯片级图像传感器封装的方法，包括：

用透明晶圆覆盖在器件晶圆上所形成的多个图像传感器中的每一个，并使位于所述透明晶圆的顶部表面上的多个薄膜中的每一个与在所述器件晶圆上所形成的所述多个图像传感器中的相应一个对齐，在所述多个薄膜中的任两个之间的最小距离在平行于所述顶部表面的第一方向上超过第一距离；

使所述透明晶圆附接到所述器件晶圆，同时保持所述多个薄膜中的每一个与所述多个图像传感器中的相应一个对齐以形成受保护的图像传感器晶圆；和

通过在相邻的所述薄膜之间形成小于所述第一距离的切口，沿着在所述多个薄膜中的相邻薄膜之间的平面切割所述受保护的图像传感器晶圆，

其中所述薄膜是具有对应于可见光和近红外光中的一个的通带的多层膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述多个图像传感器中的每一个具有与其像素阵列相邻的相应导电焊盘阵列，并且在对齐的步骤中，使所述透明晶圆与所述器件晶圆对齐，使得所述多个导电焊盘阵列中的每一个位于所述多个薄膜中的两个相邻薄膜之间的相应的膜间区域的正下方。