[发明专利]存储器的测试方法

说明书

本发明公开了一种存储器的测试方法，所述存储器具有n个测试项目，所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数；当i小于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则进入测试项目i+1的测试；当i等于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则判断所述存储器为合格品；当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断；当N等于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则判断所述存储器为不合格品。这样的测试方法可以大幅度提高测试稳定性，大大降低误判率，从而提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别涉及一种存储器的测试方法。

背景技术

近年来，在半导体存储器技术领域中，闪存的发展尤为迅速。由于闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失，具有反复擦除、读取、写入等优点，因此广泛应用于手机、数码照相机、平板电脑等电子设备中。

在闪存出厂前，需要对闪存的可靠性进行测试，闪存的可靠性测试包括电气连接性能、功耗、读取、写入、擦除、串扰等测试项目。如图1所示，为现有技术中对嵌入式闪存的测试方法的流程示意图，其中，测试项目1为所述嵌入式闪存的读取测试项目，测试项目2可以但不限于为擦除测试项目，现有技术对嵌入式闪存的读取测试项目仅进行一次判断，若一次判断失效(Fall)，则判断所述嵌入式闪存为不合格品；若一次判断成功(Pass)，则进入下一个测试项目(测试项目2)，当所有的测试项目都判断成功后，则判断所述嵌入式闪存为合格品。需要说明的是，图1主要是为了体现对测试项目1的测试流程，因此，图1中对其他测试项目的测试流程示意图已省略。但是这种测试方法的误判率较高，稳定性偏低，特别是，传统嵌入式闪存的读取测试判断，还要增加边界测试，这就更加影响其读取的稳定性，有时候会呈现时而判断成功，时而判断失效的问题，严重降低产品良率。

因此，有必要提供一种新的存储器的测试方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种存储器的测试方法，以提高测试稳定性，提高产品良率。

为解决上述技术问题，本发明提供的存储器的测试方法，所述存储器具有n个测试项目，n为大于等于1的整数，所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断，其中，1≤i≤n，1≤N≤100，且i和N均为整数；当i小于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则进入测试项目i+1的测试；当i等于n时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格，则判断所述存储器为合格品；当N小于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则进行对所述测试项目i的第N+1次判断；当N等于100时，若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效，则判断所述存储器为不合格品。

进一步的，所述测试方法在对测试项目i进行N次判断之前，还包括预先设置测试项目i的期望值。

可选的，所述对测试项目i进行N次判断的步骤包括：对所述测试项目i进行第1次实际测试，得到第1次实际测得值，对所述测试项目i进行第1次判断，若所述第1次实际测得值与所述测试项目i的期望值相同，则判断所测的测试项目i为合格；否则，对所述测试项目i进行第2次判断。

可选的，在所述的存储器的测试方法中，所述期望值为数字信号。

可选的，在所述的存储器的测试方法中，所述实际测得值为数字信号。

优选的，在所述的存储器的测试方法中，通过编程的方式对测试项目i进行N次判断。

优选的，在所述的存储器的测试方法中，套用if和elseif语句进行编程。

进一步的，在所述的存储器的测试方法中，所述存储器为嵌入式闪存。

可选的，在所述的存储器的测试方法中，所述测试项目包括读取测试项目、写入测试项目和擦除测试项目。