[发明专利]阵列基板、显示面板以及显示装置

说明书

本发明提供一种GOA阵列基板，所述GOA阵列基板上设置有用于传输测试信号的大面积双层金属走线，所述大面积双层金属走线上覆盖色阻作为保护层。与相关技术相比较，本发明提供的GOA阵列基板，其通过在大面积双层金属走线上覆盖一层色阻作为静电保护层，从而在后续绝缘保护层的CVD/PH等制程中，大面积双层金属走线内的金属不与等离子体清洗和PH清洗时的水汽接触，保护线路不进行电荷累积，这样，有效消除了大面积双层金属走线与跨线连接处的静电释放风险。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。

背景技术

液晶显示器以其显示品质高、价格低廉、携带方便等优点，成为移动通讯设备、PC、TV等的显示装置。目前普遍采用的TV液晶显示器的面板驱动技术逐渐趋向于采用GOA技术，GOA技术能简化平板显示面板的制造工序，省去水平扫描线方向的结合工艺，可提升产能、降低产品成本，同时可以提升显示面板的集成度使之更适合制造窄边框或无边框显示产品，满足现代人们的视觉追求。

GOA技术，GOA阵列基板行驱动(Gate Driver on Array)技术，也就是利用现有薄膜晶体管液晶显示器Array制程将Gate行扫描驱动信号电路制作在Array基板上，实现对Gate逐行扫描的驱动方式。GOA电路的主要架构有上拉单元(Pull-up part)、上拉控制单元(Pull-up control part)、下拉单元(Pull-down part)和下拉维持单元(Pull-downHolding part)以及负责电位抬升的Boost电容。

但是，采用GOA技术的GOA阵列基板，走测试信号的测试线路需要跨线与走面内显示信号的显示电路连接，测试电路一般均采用双层金属(Double Metal)设计，由于双层金属走线中的金属在保护层CVD/PH制程中直接与等离子体或者风刀直接接触，大面积金属导致电荷累积，测试电路与跨线连接处的两层金属的电性相反，有压差，容易发生静电释放。

因此，有必要提供一种新的GOA阵列基板解决上述问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种阵列基板，其用于传输测试信号的大面积双层金属走线不进行电荷累积降低静电释放风险。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板上设置有用于传输测试信号的大面积双层金属走线，所述大面积双层金属走线上覆盖色阻作为保护层。

优选的，所述阵列基板还包括设置于所述阵列基板上的显示电路，所述大面积双层金属走线位于所述显示电路外围，所述大面积双层金属走线通过跨线与所述显示电路电连接。

优选的，所述显示电路设置于所述阵列基板中央位置，所述双层金属走线位于所述阵列基板周缘。

本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括所述的显示面板。

与相关技术相比较，本发明提供的阵列基板，其通过在大面积双层金属走线上覆盖一层色阻作为静电保护层，从而在后续绝缘层的CVD/PH等制程中，大面积双层金属走线内的金属不与等离子体清洗和PH清洗时的水汽接触，保护线路不进行电荷累积，这样，有效消除了大面积双层金属走线与跨线连接处的静电释放风险。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板覆盖色阻保护层前的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板覆盖色阻保护层后的结构示意图；