[发明专利]基板保持装置以及腔室装置有效
申请号: | 201810205964.8 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN108573909B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 裵莹宰;金济男;彭盛焕 | 申请(专利权)人: | 亚威科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 装置 以及 | ||
本发明涉及基板保持装置以及腔室装置,其中,所述基板保持装置包括:保持部,由磁性体构成;电永磁,根据是否施加电源,改变磁场流动更强的位置;以及夹盘,设置有所述电永磁;其中,所述保持部利用根据对所述电永磁未施加电源而产生作用的引力支撑所述基板,以使基板保持在所述夹盘。
技术领域
本发明涉及在制造工艺的执行过程中利用于保持基板的基板保持装置以及腔室装置。
背景技术
LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)、OLED(Organic Light EmittingDiodes,有机发光二极管)、PDP(Plasma Display Panel,等离子显示器面板)、 EPD(Electrophoretic Display,电泳显示)等显示装置、太阳能电池、照明装置等是经过各种工艺制造而成的。该制造工艺包括:在基板沉积薄膜的沉积工艺;蚀刻在基板沉积的薄膜的一部分或者全部的蚀刻工艺;翻转基板的翻转工艺等。
在现有技术中主要使用基板保持装置,该基板保持装置利用静电方式、吸附方式等实现而成的,其中静电方式是利用静电保持基板,而吸附方式是利用吸力保持基板。
由静电方式实现的基板保持装置是利用静电力通过静电吸盘(ElectrostaticChuck, ESC)保持基板。但是,由静电方式实现的基板保持装置需持续施加电压以保持静电力,所以内部需配置有电池,因此具有结构复杂的缺点。另外,静电方式的基板保持装置根据环境(诸如,大气环境、真空环境等)保持基板的静电力下降,因此存在损坏乃至毁坏基板的危险,存在降低产量的缺点。
吸附方式的基板保持装置通过吸气装置用吸附力保持基板。但是,吸附方式的基板保持装置应持续吸气来保持吸附力,因此需形成吸气线,存在结构复杂的缺点。另外,吸附方式的基板保持装置根据环境(诸如,大气环境、真空环境等)使保持基板的吸附力下降,存在基板受损乃至损毁的危险,因此存在降低产量的缺点。
因此,切实需要开发能够消除上述缺点的基板保持装置。
发明内容
(要解决的问题)
本发明是为了解决如上所述的问题而提出的,提供降低用于保持基板的结构的复杂性,并且降低基板受损乃至被损毁的危险的基板保持装置以及腔室装置。
(解决问题的手段)
为了解决上述问题,本发明可包括以下结构:
本发明的基板保持装置可包括:基座(Base),由磁性体构成;夹盘(Chuck Plate),由非磁性体构成;第一极片,配置在所述基座与所述夹盘的一面之间,并且由磁性体构成;第二极片,在从所述第一极片分隔的位置中配置在所述基座与所述夹盘的一面之间,并且由磁性体构成;永久磁铁,设置在所述第一极片与所述第二极片之间,以分别接触于所述第一极片与所述第二极片;线圈,设置在所述第一极片;保持部,由磁性体构成;以及诱导部,设置在所述基座。其中,对于所述诱导部由非磁性体构成,若对所述线圈施加电源,则所述基座侧形成比所述保持部侧更强的磁场流动;若对所述线圈未施加电源,则所述保持部侧形成比所述基座侧更强的磁场流动,以对所述保持部产生引力作用;所述保持部利用根据对所述线圈未施加电源而产生作用的引力支撑所述基板,以使基板保持在所述夹盘。
本发明的基板保持装置可包括:保持部,由磁性体构成;电永磁(ElectroPermanent Magnetic),根据是否施加电源,改变磁场流动更强的位置;以及夹盘,设置有所述电永磁,并且由非磁性体构。对于所述电永磁,若对所述电永磁施加电源,从所述保持部分隔配置的基座侧形成比所述保持部侧更强的磁场流动,若对所述电永磁未施加电源,则所述保持部侧形成比所述基座侧更强的磁场流动,以对所述保持部产生引力作用。所述保持部利用根据对所述电永磁未施加电源而产生的引力作用支撑所述基板,以在所述夹盘保持所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造