[发明专利]一种NandFlash阵列控制方法在审
| 申请号： | 201810205468.2 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108470005A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朱书杉;李婷;毕研山;包汉彬 | 申请（专利权）人： | 山东超越数控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 韩月娥 |
| 地址： | 250100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 逻辑地址 物理地址 直接映射 数据传输技术 存储阵列 地址转换 高速传输 软件开销 时钟周期 写入方式 依次排列 硬盘 写入 流水 传输 分解 保证 | ||
1.一种NandFlash阵列控制方法，其特征在于，在存储阵列中，将每一列的lun-plane-block-page依次排列，使得数据的逻辑地址与物理地址形成直接映射关系；数据写入时，通过流水写入方式保证数据的高速传输；
同时，FPGA通过分解数据的逻辑地址，由一个时钟周期完成逻辑地址到物理地址的直接映射。
2.根据权利要求1所述一种NandFlash阵列控制方法，其特征在于，选取152-ball 8个DIE BGA封装的NandFlash，构成4X4的存储阵列。
3.根据权利要求1所述一种NandFlash阵列控制方法，其特征在于，每个NandFlash包括4个target，每个target有2个LUN，每个LUN有2个plane，每个plane中包含了4096个block，每个block有256个page。
4.根据权利要求1所述一种NandFlash阵列控制方法，其特征在于，在4X4的存储阵列中，将每一列4个NandFlash分别标记为N1~N4，将每一列的lun-plane-block-page依次排列：
N1-target1-lun1-plane1-block1-page1 标记为0号页，
N1-target2-lun1-plane1-block1-page1 标记为1号页，
N1-Target3-lun1-plane1-block1-page1 标记为2号页，
N1-Target4-lun1-plane1-block1-page1 标记为3号页，
N4-target1-lun1-plane1-block1-page1 标记为4号页，
以此类推，
N4-target4-lun2-plane2-block1-page1 标记为255号页，
N1-target1-lun1-plane1-block1-page2 标记为256号页，
数据的逻辑地址与物理地址形成了直接映射关系。
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