[发明专利]一种抑制封装基板焊盘表面导电银胶扩散的表面修饰方法有效
| 申请号: | 201810204855.4 | 申请日: | 2018-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN108493117B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
| 发明(设计)人: | 陈苑明;贾莉萍;何为;夏锋;晋晓峰;陈庆国;王守绪 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;安徽国家铜铅锌及制品质量监督检验中心 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C23F1/18;C23C18/42;C23C18/32;C23C18/18;H05K3/10 |
| 代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 抑制 封装 基板焊盘 表面 导电 扩散 修饰 方法 | ||
1.一种抑制封装基板上焊盘表面导电银胶扩散的表面修饰方法,其特征在于,在点涂导电银胶前对铜焊盘表面进行镍钯金修饰:首先采用平整性微蚀液对铜焊盘表面进行刻蚀,然后经活化后依次进行化学镀镍、化学镀钯和化学镀金,而后于真空惰性环境下热处理金层;
所述平整性微蚀液包括缓蚀剂、硫酸和双氧水;
所述平整性微蚀液的组成包括:缓蚀剂1~5wt%、硫酸5~20wt%、双氧水5~12wt%,其余为去离子水;
采用平整性微蚀液进行处理的温度为20℃~40℃,处理时间为50s~150s。
2.根据权利要求1所述的一种抑制封装基板上焊盘表面导电银胶扩散的表面修饰方法,其特征在于,所述缓蚀剂为5-氨基四氮唑、2-甲基-5-氨基四氮唑和苯并三氮唑中任意一种或者多种。
3.根据权利要求1所述的一种抑制封装基板上焊盘表面导电银胶扩散的表面修饰方法,其特征在于,所述热处理金层的具体操作是:于温度为120~190℃,压力为0.3~0.5MPa的惰性环境中,处理2~5小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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