[发明专利]像素单元及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种像素单元，其特征在于，包括薄膜晶体管、以及与薄膜晶体管对应的像素电极，像素电极与薄膜晶体管的源极连接，

所述像素电极包括多个弧形的电极单元，该多个弧形的电极单元沿径向阵列分布于薄膜晶体管的周向，电极单元之间电性连接；

所述薄膜晶体管为垂直结构的薄膜晶体管，包括栅极、源极、有源层和漏极，所述源极与栅极在竖直方向的投影区不重叠，所述漏极与栅极在竖直方向的投影区不重叠；

所述源极、有源层和漏极绕设于所述栅极周向，所述源极、有源层和漏极上下叠加设置，多个所述电极单元以所述栅极为圆心径向阵列分布。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元包括扫描线、数据线、以及由所述扫描线和数据线定义的主像素区和次像素区。

3.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述像素电极的弧形开口面向对应的薄膜晶体管的圆心，该像素电极中，一个电极单元的头部与径向相邻电极单元之间的尾部电性连接。

4.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述像素电极的弧形开口背离对应的薄膜晶体管的圆心。

5.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，

所述薄膜晶体管中，每个漏极分别包括两个弧形的第一漏极和第二漏极，所述第一漏极和第二漏极的弧形开口相对设置，所述第一漏极和第二漏极分别通过一支线电性连接于所述数据线，栅极构成所述扫描线的一部分，并位于所述第一漏极和第二漏极围成的区域内。

6.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，

所述薄膜晶体管中，每个漏极分别包括四个弧形的漏极单元，漏极单元的弧形开口朝外，漏极单元之间首尾相接并围成一闭合区域，该漏极单元构成数据线的一部分，闭合区域内设置的栅极构成扫描线的一部分。

7.一种显示装置，其特征在于，包括阵列分布的权利要求1至6任一所述的像素单元。

8.权利要求1至6任一所述的像素单元的制作方法，其特征在于，包括：

（1）、在同一制程中，采用物理气相沉积方法在基体上先沉积一层金属，利用光刻胶图案作为掩模，然后曝光刻蚀形成数据线和并在主像素区和次像素区分别形成漏极，其中，

主像素区中，每个漏极分别包括两个弧形的第一漏极和第二漏极，所述第一漏极和第二漏极的弧形开口相对设置，所述第一漏极和第二漏极分别通过一支线电性连接于所述数据线，

次像素区中，每个漏极分别包括四个弧形的漏极单元，漏极单元的弧形开口朝外，漏极单元之间首尾相接并围成一闭合区域，该漏极单元构成数据线的一部分；

（2）、剥离掉光刻胶，采用溶胶凝胶、化学气相沉积或物理气相沉积的方法制作有源层，然后采用曝光刻蚀的方式在漏极上形成有源层，其中，

主像素区中，有源层包括两个弧形的结构，分别对应形成于第一漏极和第二漏极的顶面，有源层的形状与第一漏极和第二漏极的形状匹配，

次像素区中，有源层包括两个相对设置的U形的结构，分别对应形成于漏极单元和数据线的接合处；

（3）、在同一制程中，在有源层上制作源极，同时在漏极和源极之间制作扫描线和栅极，具体地，先使用物理气相沉积方法沉积一层金属，然后通过曝光和刻蚀的方式去除多余的金属，在栅极形成的区域，此处曝光利用能够形成不同光刻胶厚度的半色调掩模或者灰阶掩膜，其中，

主像素区中，扫描线穿设在第一漏极和第二漏极的缝隙之间，栅极位于第一漏极和第二漏极围成的区域中心，栅极构成扫描线的一部分，

次像素区中，扫描线穿设在有源层的缝隙之间，栅极位于漏极单元围成的区域中心，栅极构成扫描线的一部分，

在主像素区和次像素区中，源极、有源层和漏极绕设于栅极周向，源极、有源层和漏极上下叠加设置，源极与栅极在竖直方向的投影区不重叠，漏极与栅极在竖直方向的投影区不重叠；

（4）、沉积钝化层，然后在钝化层上形成像素电极图案，再采用物理气相沉积方法沉积一层金属，最后曝光刻蚀在源极表面以及源极的四周制作多条环形的像素电极，其中，

在主像素区和次像素区中，像素电极包括多个弧形的电极单元，该多个弧形的电极单元沿径向阵列分布于薄膜晶体管的周向，电极单元之间电性连接。