[发明专利]一种用于非制冷型红外探测器的芯片级超微型制冷机有效
申请号: | 201810203249.0 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN108493271B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 杨波;冯雨;郭鑫;李成;高小勇 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/024 | 分类号: | H01L31/024;H01L25/16;H01L35/28 |
代理公司: | 32206 南京众联专利代理有限公司 | 代理人: | 叶涓涓 |
地址: | 211189 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外探测器 真空封装 热传导 制冷机结构 防辐射层 非制冷型 外部环境 外层封装 支撑结构 层结构 超微型 芯片级 制冷机 内层 热交换 热对流交换 红外敏感 环形悬臂 纳米薄膜 上层结构 外界环境 温度恒定 下层结构 中层结构 隔热层 壳顶部 热电层 热辐射 热隔离 散热层 热层 沉积 加热 制冷 铺设 生长 交换 | ||
本发明提供了一种用于非制冷型红外探测器的芯片级超微型制冷机,包括外层封装层结构和内层制冷机结构,外层封装层结构包括真空封装壳、防辐射层、散热层,真空封装壳顶部设置有红外敏感窗口;内层制冷机结构包括上层结构、中层结构、下层结构。本发明通过对纳米薄膜热电层的加热和制冷,维持温度恒定,有效阻断支撑结构与外部环境通过基座进行热交换,同时在基座底部铺设了隔热层,进一步抑制了外部环境的热传导。环形悬臂梁设置和支撑结构进一步防止热传导,同时隔热层设置又进一步抑制了内部热传导交换,实现红外探测器与外界环境的热隔离。同时,通过沉积、生长防辐射层,抑制热辐射,并采用真空封装的方法,阻止内外部的热对流交换。
技术领域
本发明涉及一种用于非制冷型红外探测器的芯片级超微型制冷机,属于微机电系统技术领域。
背景技术
区别于传统的机械式微型制冷机,基于纳米薄膜材料的芯片级超微型制冷机具有结构简单、大小形状可变、集成度高、热流密度大、热惯性小、控温和制冷速快、不需要制冷介质、不产生机械噪声等优点,解决了多种场合的制冷难题。在电子电力、国防、工业、科研以及生活等领域具有广泛的应用前景,尤其在微小型红外探测器制冷应用上具有明显优势,具有巨大的应用前景。
传统的芯片级的热电、热声、微流体、以及MEMS斯特林制冷机等多种微型制冷机,有体积大、重量重、可靠性差、机械运动噪声大等缺陷,推广应用受到限制。综合国内外研究现状,目前芯片级超微型制冷机技术是制冷技术领域研究热点,大部分还处在原理研究和实验室样机研究阶段,少部分已进入实际工程应用阶段,具有非常广阔的发展前景。
发明内容
为解决上述问题,本发明公开了一种集成度高、体积和功耗小、无机械噪声、热惯性小、制冷速度快的新型芯片级超微型制冷机。
为了达到上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种用于非制冷型红外探测器的芯片级超微型制冷机,包括外层封装层结构和内层制冷机结构,所述内部制冷机结构设置在外层封装层结构内部;
所述外层封装层结构包括位于最外侧的真空封装壳、沉积在真空封装壳内层的防辐射层、位于底部的散热层,真空封装壳顶部设置有红外敏感窗口;
所述内层制冷机结构粘贴在外层封装层结构的底部散热层上,包括上层结构、中层结构、下层结构,上层结构包括若干电极、支撑膜、支撑结构、环形悬臂梁、第一绝缘层、若干红外探测器引线、红外探测器,所述支撑结构作为上层结构的底部,支撑结构上设置有支撑膜,环形悬臂梁镶嵌在支撑膜上,环形悬臂梁通过支撑膜将红外传感器支撑起来,所述红外探测器位于支撑膜上方的中间位置,所述第一绝缘层沉积在支撑膜、悬臂梁上方,电极溅射在第一绝缘层上,所述红外探测器引线用于连接红外探测器和电极;
所述中层结构,包括基座、第二绝缘层、第三绝缘层、第一隔热层、第二隔热层、防辐射层、薄膜Pt温度传感器,所述基座键合在支撑结构下方,所述第二绝缘层沉积在基座下方,所述第一隔热层沉积在绝缘层下方,且与外层封装层结构相连接;所述第三绝缘层沉积在基座上方,所述第二隔热层沉积在第三绝缘层上方,所述防辐射层沉积在第二隔热层上方,所述薄膜Pt温度传感器溅射在第二隔热层上方;
所述下层结构镶嵌在基座下方,包括纳米薄膜热电层、第四绝缘层,所述纳米薄膜热电层粘贴在外层封装层结构的底部散热层上,所述第四绝缘层位于纳米薄膜热电层与基座之间。
进一步的,电极数量为四个,包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极,四个电极分别位于支撑结构的四个转角之上;悬臂梁包括四根折梁,所述四根折梁将红外探测器通过底部的支撑膜支撑起来;红外探测器引线为四根,每根悬臂梁上方设置有一根引线,每根引线分别沿着各自下方的悬臂梁方向延伸,引线一端与红外探测器相连接,另一端与电极相连接。
进一步的,所述薄膜Pt温度传感器呈蛇形,位于红外探测器一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的