[发明专利]一种有机上转换器件在审
| 申请号: | 201810203030.0 | 申请日: | 2018-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN108428801A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
| 发明(设计)人: | 马东阁;杨德志;周小康 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 罗啸秋 |
| 地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 转换器件 发光层 空穴 电子传输层 空穴传输层 电光转换效率 光电转换效率 有机光电器件 光敏层材料 近红外吸收 注入阻挡层 阳极 共混材料 外加电场 依次层叠 阴极组成 转换效率 自由电子 光敏层 连接层 修饰层 衬底 串联 | ||
1.一种有机上转换器件,其特征在于:由依次层叠的衬底、阳极、空穴注入阻挡层、光敏层、空穴传输层、发光层、电子传输层、连接层、空穴传输层、发光层、电子传输层、注入修饰层和阴极组成。
2.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述的衬底为玻璃衬底或者柔性聚合物透明衬底。
3.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述阳极为氧化铟锡ITO。
4.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述空穴注入阻挡层的制备材料为TPBi、BmPyPb或ZnO。
5.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述光敏层的制备材料为有机共混材料PDPP3T:PC61BM、SnPc:C60或SnPc:C70。
6.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述空穴传输层的制备材料为TCTA或TAPC。
7.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述发光层的制备材料为具有电致发光的有机荧光材料、有机磷光材料或有机延迟荧光材料。
8.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述电子传输层的制备材料为Be(pp)2、TPBi、BmPypb或LiF。
9.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述连接层的制备材料为具有电子传输的有机材料、无机材料或有机半导体异质结。
10.根据权利要求1所述的一种有机上转换器件,其特征在于:所述注入修饰层为具有增强阴极一侧电子注入的有机材料或无机材料;所述阴极为金属铝电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810203030.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管
- 下一篇:一种显示面板及其封装方法、OLED装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





