[发明专利]高性能电缆三通壳体

说明书

本发明公开了一种高性能电缆三通壳体，包括法兰Ⅰ、筒体、法兰Ⅱ、支筒组件；筒体两端分别与法兰Ⅰ、法兰Ⅱ焊接固定连接；支筒组件包括法兰Ⅲ、支筒Ⅲ；法兰Ⅰ、法兰Ⅱ朝外的端面上分别设有同轴套合、槽宽相同的外密封槽Ⅰ、内密封槽Ⅰ；外密封槽Ⅰ的深度小于内密封槽Ⅰ的深度；进一步改进在于：支筒组件法兰Ⅲ朝外的端面上设有同轴套合、槽宽相同的外密封槽Ⅱ、内密封槽Ⅱ；外密封槽Ⅱ的深度小于内密封槽Ⅱ的深度；支筒组件支筒Ⅲ与筒体侧面的支筒Ⅱ连接处设有外坡口Ⅳ、内坡口Ⅳ；外坡口Ⅳ的深度H1小于内坡口Ⅳ的深度H2。本发明密封可靠性高，焊接变形小，法兰二次加工的余量小。

技术领域

本发明涉及高压变电站领域，尤其涉及一种电缆三通壳体。

背景技术

GIS（Gas Insulated Switchgear气体绝缘金属封闭开关设备）因其运行受外部环境影响小、不需要经常性检修、占地面积小等优点，近年来在变电站中被广泛采用。壳体是GIS重要的支承部件，GIS对壳体的密封可靠性有着严格的要求。电缆三通壳体是GIS壳体中的一种，现有电缆三通壳体包括法兰Ⅰ、筒体、法兰Ⅱ、支筒组件，为保证密封性，法兰Ⅰ、法兰Ⅱ、支筒组件上的法兰Ⅲ朝外的端面上分别设有一道密封槽，使用时密封槽内安装密封圈。这种电缆三通壳体密封结构比较简单，但使用时如果一个密封圈无法保证密封状态，将会出现泄漏，电缆三通壳体的密封可靠性较低。

发明内容

本实用型针对现有技术的不足，提出一种能显著提高密封可靠性的高性能电缆三通壳体。

本发明通过下述技术方案实现技术目标。

高性能电缆三通壳体, 包括法兰Ⅰ、筒体、法兰Ⅱ、支筒组件；所述筒体两端分别与法兰Ⅰ、法兰Ⅱ焊接固定连接；所述支筒组件包括法兰Ⅲ、支筒Ⅲ；所述支筒组件支筒Ⅲ与筒体侧面的支筒Ⅱ焊接固定连接；其改进之处在于：所述法兰Ⅰ、法兰Ⅱ朝外的端面上分别设有同轴套合、槽宽相同的外密封槽Ⅰ、内密封槽Ⅰ；所述外密封槽Ⅰ的深度小于内密封槽Ⅰ的深度。

上述结构中，所述支筒组件法兰Ⅲ朝外的端面上设有同轴套合、槽宽相同的外密封槽Ⅱ、内密封槽Ⅱ；所述外密封槽Ⅱ的深度小于内密封槽Ⅱ的深度。

上述结构中，所述支筒组件支筒Ⅲ与筒体侧面的支筒Ⅱ连接处设有外坡口Ⅳ、内坡口Ⅳ；所述外坡口Ⅳ的深度H1小于内坡口Ⅳ的深度H2。

上述结构中，所述内坡口Ⅳ的深度H2大于支筒组件侧面的支筒Ⅱ壁厚δ的1/2，小于支筒组件侧面的支筒Ⅱ壁厚δ的2/3。

本发明与现有技术相比，具有以下积极效果：

1. 法兰Ⅰ、法兰Ⅱ朝外的端面上分别设有同轴套合、槽宽相同的外密封槽Ⅰ、内密封槽Ⅰ，法兰Ⅰ、法兰Ⅱ朝外的端面上分别设置双重密封结构，本发明使用时，即使其中之一的密封结构密封出现问题，另外一个密封结构仍能保证密封，显著提高密封可靠性。外密封槽Ⅰ的深度小于内密封槽Ⅰ的深度，本发明使用时，在外密封槽Ⅰ、内密封槽Ⅰ中安装同样截面的密封圈，由于外密封槽Ⅰ的深度小于内密封槽Ⅰ的深度，这样，外密封槽Ⅰ中密封圈形成的密封比内密封槽Ⅰ中密封圈形成的密封更紧，进一步提高密封性能、可靠性。

2. 支筒组件法兰Ⅲ朝外的端面上设有同轴套合、槽宽相同的外密封槽Ⅱ、内密封槽Ⅱ，外密封槽Ⅱ的深度小于内密封槽Ⅱ的深度，更进一步提高密封性能、可靠性。

3. 支筒组件支筒Ⅲ与筒体侧面的支筒Ⅱ连接处设有外坡口Ⅳ、内坡口Ⅳ，外坡口Ⅳ的深度H1小于内坡口Ⅳ的深度H2，避免了支筒组件法兰Ⅲ勾头现象的产生。

4. 内坡口Ⅳ的深度H2大于支筒组件侧面的支筒Ⅱ壁厚δ的1/2，小于支筒组件侧面的支筒Ⅱ壁厚δ的2/3，降低支筒组件焊接后法兰Ⅲ内外端面与轴线的偏差，减少法兰Ⅲ二次加工的余量。

附图说明

图1为本发明结构示意图。