[发明专利]灵敏放大器有效
申请号: | 201810202084.5 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108492840B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 盛斌;毛智锋;张圣波 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 灵敏 放大器 | ||
1.一种灵敏放大器,所述灵敏放大器用于一闪存存储器中,其特征在于,所述灵敏放大器包括预充电电路、第一电容、第一反相器和与所述第一反相器并联的第一传输门,其中:
所述预充电电路连接在电源电压和所述闪存存储器的参考电压端之间,并通过所述参考电压端向所述闪存存储器的位线上预充电,预充电结束后参考电压端的电位保持不变;
所述参考电压端根据所述闪存存储器的状态调整其电位,直至所述第一反相器的输出电压变化;
所述第一电容的一端连接所述参考电压端,另一端连接所述第一反相器的输入端和所述第一传输门的第一端;
所述第一反相器的输出端连接所述第一传输门的第二端。
2.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括第二反相器和第三反相器,其中,所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端,所述第二反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端。
3.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述预充电电路包括第一晶体管和第二传输门,其中:
所述第一晶体管为P沟道场效应晶体管,所述第一晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极,所述第一晶体管的源极连接电源电压,第二传输门一端连接所述第一晶体管的漏极,另一端连接所述参考电压端。
4.如权利要求3所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一传输门由第一控制信号控制,当所述第一控制信号的电平为接地电平时,所述第一传输门的两端电位相等,当所述第一控制信号的电平为电源电压时,所述第一传输门的两端电位相异。
5.如权利要求4所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第二传输门由第一控制信号控制,当所述第一控制信号的电平为接地电平时,所述第二传输门的两端电位相等,当所述第一控制信号的电平为电源电压时,所述第二传输门的两端电位相异。
6.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述闪存存储器还包括电流镜电路、存储单元和列译码器,其中:所述存储单元连接所述列译码器,所述列译码器连接所述电流镜电路。
7.如权利要求6所述的灵敏放大器,其特征在于,所述电流镜电路包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管,其中:
所述第二晶体管的源极和所述第三晶体管的源极连接所述电源电压,所述第二晶体管的栅极连接所述第三晶体管的栅极,所述第二晶体管的栅极连接所述第二晶体管的漏极和所述第四晶体管的源极,所述第三晶体管的漏极连接所述第五晶体管的源极和所述参考电压端,所述第四晶体管的漏极和所述第五晶体管的漏极连接所述列译码器。
8.如权利要求7所述的灵敏放大器,其特征在于,所述电流镜电路还包括第四反相器和第五反相器,其中:
所述第四反相器的输入端连接所述第四晶体管的源极,所述第四反相器的输出端连接所述第四晶体管的栅极;
所述第五反相器的输入端连接所述第五晶体管的源极,所述第五反相器的输出端连接所述第五晶体管的栅极。
9.如权利要求6所述的灵敏放大器,其特征在于,当所述存储单元处于擦除状态时,读取电流使所述参考电压端的电位持续降低,直至所述第一反相器的输出电压变化。
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