[发明专利]MEMS声换能器和提供MEMS声换能器的方法

权利要求书

1.一种MEMS声换能器(10；20；40)，包括：

第一背板(12a)和第二背板(12b)；

膜(14)，所述膜被布置在所述第一背板(12a)和所述第二背板(12b)之间，并且由所述第一背板(12a)和所述第二背板(12b)之间的边缘固定部保持；

夹紧结构(38)，所述夹紧结构被构造成，在施加有在工作状态下作用的静电力(F_ES)时，为所述膜(14)在所述第一背板(12a)和所述第二背板(12b)之间并且与所述边缘固定部(16)间隔地提供固定，并且在不存在所述静电力(F_ES)时解除所述固定，

其中所述夹紧结构(38)包括两个相对的夹紧元件(18a、18b)，所述夹紧元件被构造成在所述第一背板(12a)和所述第二背板(12b)之间施加有静电力(F_ES)时，将所述膜(14)夹紧在相对的所述夹紧元件之间的夹紧位置处，以便获得所述膜(14)的所述固定。

2.根据权利要求1所述的MEMS声换能器，其中所述夹紧结构(38)与所述边缘固定部(16)横向间隔地布置，并且被构造成与所述边缘固定部(16)横向间隔地并且由所述背板(12a、12b)的平面(82)提供所述固定。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS声换能器，所述MEMS声换能器被设计用于工作频率范围，其中所述膜(14)在所述固定中被提供有所述工作频率范围所需的膜张紧。

4.根据权利要求1或2所述的MEMS声换能器，其中在所述膜(14)的中部区域(26)中提供所述固定。

5.根据权利要求1或2所述的MEMS声换能器，其中所述膜(14)被构造成在所述MEMS声换能器工作时沿着振动方向(z)振动，并且其中所述固定限制所述膜(14)在与所述边缘固定部(16)间隔处的运动自由度。

6.根据权利要求1所述MEMS声换能器，其中所述两个相对的夹紧元件中的至少一个第一夹紧元件(18a、18b)沿着在所述第一背板(12a)和所述膜(14)之间的厚度方向(z)具有至少1μm和最大40μm的尺寸。

7.根据权利要求1或6所述的MEMS声换能器，其中所述两个相对的夹紧元件中的第一夹紧元件(18a)或第二夹紧元件(18b)沿着平行于膜平面的方向(x，y)具有至少1μm和最大40μm的尺寸。

8.根据权利要求1或6所述的MEMS声换能器，其中所述两个相对的夹紧元件(18a、18b)包括半导体材料。

9.根据权利要求1或6所述的MEMS声换能器，其中所述两个相对的夹紧元件(18a、18b)被电绝缘地形成。

10.根据权利要求1或6所述的MEMS声换能器，其中所述两个相对的夹紧元件中的第一夹紧元件(18a)与所述第一背板固定连接，并且其中所述两个相对的夹紧元件中的第二夹紧元件(18b)与所述第二背板(12b)固定连接。

11.根据权利要求1或6所述的MEMS声换能器，其中所述两个相对的夹紧元件形成第一对(18a-b)相对的夹紧元件，并且其中所述夹紧结构(38)至少包括第二对相对的夹紧元件(18c-d、18e-f)。

12.根据权利要求1或6所述的MEMS声换能器，其中所述两个相对的夹紧元件(18a-b)被布置在所述膜(14)的中部区域中。

13.根据权利要求1或6所述的MEMS声换能器，其中所述夹紧元件(18a-b)中的至少一个夹紧元件被形成为包括氧化物材料、半导体材料、氮化物材料或碳材料。