[发明专利]半导体模块的制造方法及半导体模块有效
申请号: | 201810200233.4 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN109216299B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 武藤邦治;板东晃司 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L21/56 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 熊传芳;苏卉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 | ||
1.一种半导体模块的制造方法,具有以下的工序:
(a)准备第一半导体芯片,所述第一半导体芯片内置有第一功率晶体管,并具有第一面和该第一面的相反侧的第二面,所述第一半导体芯片的所述第一面具备与所述第一功率晶体管电连接的第一端子,所述第一半导体芯片的所述第二面形成有与所述第一功率晶体管电连接的第二端子;
(b)准备第二半导体芯片,所述第二半导体芯片内置有第二功率晶体管,并具有第一面和该第一面的相反侧的第二面,所述第二半导体芯片的所述第一面具备与所述第二功率晶体管电连接的第三端子,所述第二半导体芯片的所述第二面形成有与所述第二功率晶体管电连接的第四端子;
(c)在所述(a)工序之后,在具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的第一芯片搭载部上,以所述第一芯片搭载部的所述第一面与所述第一半导体芯片的所述第二面相向的方式,经由导电性的第一接合材料而搭载所述第一半导体芯片;
(d)在所述(b)工序之后,在具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的第二芯片搭载部上,以所述第二芯片搭载部的所述第一面与所述第二半导体芯片的所述第二面相向的方式,经由导电性的第二接合材料而搭载所述第二半导体芯片;
(e)在所述(c)以及(d)工序之后,经由第一导电性部件将所述第一半导体芯片的所述第一端子与所述第二芯片搭载部电连接;
(f)在所述(c)以及(d)工序之后,经由第二导电性部件将所述第二半导体芯片的所述第三端子与引线电连接;
(g)在所述(e)以及(f)工序之后,利用具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的密封体以使所述第一芯片搭载部的所述第二面和所述第二芯片搭载部的所述第二面分别从所述密封体的所述第二面露出的方式将所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第一芯片搭载部的一部分、所述第二芯片搭载部的一部、所述第一导电性部件、所述第二导电性部件、所述引线的一部分密封;
(h)在所述(g)工序之后,在所述密封体的所述第二面上以覆盖所述第一芯片搭载部的所述第二面和所述第二芯片搭载部的所述第二面的方式粘贴绝缘层;以及
(i)在所述(h)工序之后,在所述绝缘层上粘贴传热材料层,
其中,所述(i)工序之后,在俯视图中所述传热材料层的区域被包含于所述绝缘层的区域中。
2.根据权利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,
在所述(i)工序之后,在透视俯视图中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片各自位于所述传热材料层的区域的内侧。
3.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,
在所述(g)工序之后且所述(h)工序之前,具有对从所述密封体露出的多根所述引线的各引线的一部分进行切割、成形的工序。
4.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,
在俯视图中所述密封体具有分别从所述密封体的所述第一面贯穿至所述第二面的第一貫通孔以及第二貫通孔,
所述绝缘层以及所述传热材料层位于所述第一貫通孔与所述第二貫通孔之间。
5.根据利要求4所述的半导体模块的制造方法,其中,
在所述第一貫通孔和所述第二貫通孔中分别安装螺栓部件,
通过所述螺栓部件将所述密封体与散热板接合。
6.根据利要求5所述的半导体模块的制造方法,其中,
在俯视图中所述绝缘层和所述传热材料层跨假想线的两侧而配置,所述假想线是连结所述第一貫通孔和所述第二貫通孔各自的中心的线。
7.根据利要求6所述的半导体模块的制造方法,其中,
在俯视图中沿所述假想线的方向所配置的所述绝缘层的一条边与所述假想线之间的距离和所述绝缘层的另一条边与所述假想线之间距离相同。
8.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,
所述半导体模块还具备对所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片进行控制的控制芯片,
在透视俯视图中所述控制芯片位于所述绝缘层的区域和所述传热材料层的区域。
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