[发明专利]电压检测及控制电路有效
| 申请号： | 201810199958.6 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108270402B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 宁宁;靳泽熙;罗建;夏华松;李靖;吴克军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;G01R19/165 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 检测 控制电路 | ||
1.电压检测及控制电路，包括基准电压输出缓冲模块(402)、电压运算模块(403)和比较器模块(404)，
所述基准电压输出缓冲模块(402)的输入端连接基准电压，其输出端连接所述电压运算模块(403)的第二输入端；
所述比较器模块(404)的第一输入端连接所述电压运算模块(403)的输出端，其第二输入端连接待检测电压，其输出端作为所述电压检测及控制电路的输出端；
其特征在于，所述电压运算模块(403)包括第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、第一电容(C3)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)，
第一PMOS管(MP1)的源极作为所述电压运算模块(403)的第一输入端连接外部调整电压，其栅极连接第一反相器(INV1)的输出端，其漏极连接第一NMOS管(MN1)和第二PMOS管(MP2)的漏极以及第一电容(C3)的上极板；
第二反相器(INV2)的输入端连接第一反相器(INV1)的输入端并连接外部时钟信号(clk)，其输出端连接第一NMOS管(MN1)的栅极；
第二PMOS管(MP2)的源极连接第一NMOS管(MN1)的源极并作为所述电压运算模块(403)的第二输入端，其栅极连接第三反相器(INV3)的输入端并连接外部时钟信号(clk)；
第二NMOS管(MN2)的栅极连接第三反相器(INV3)的输出端，其漏极连接第一电容(C3)的下极板并作为所述电压运算模块(403)的输出端，其源极接地。
2.根据权利要求1所述的电压检测及控制电路，其特征在于，所述基准电压输出缓冲模块(402)包括运算放大器、第一电阻(R1)和第三PMOS管(MP3)，
运算放大器的正向输入端连接所述基准电压，其负向输入端连接第三PMOS管(MP3)的漏极和第一电阻(R1)的一端并作为所述基准电压输出缓冲模块(402)的输出端，其输出端连接第三PMOS管(MP3)的栅极，第三PMOS管(MP3)的源极接电源电压，第一电阻(R1)的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的电压检测及控制电路，其特征在于，所述比较器模块(404)包括一个比较器(405)，所述比较器(405)的负向输入端连接所述电压运算模块(403)的输出端，其正向输入端连接所述待检测电压，其输出端作为所述电压检测及控制电路的输出端。
4.根据权利要求1所述的电压检测及控制电路，其特征在于，所述外部调整电压的电压值大于所述基准电压输出缓冲模块(402)输出端的电压值。
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