[发明专利]一种(Alx 有效
| 申请号： | 201810199731.1 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108385062B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 矫淑杰;聂伊尹;卢洪亮 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张金珠 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 al base sub | ||
1.一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，其特征在于该薄膜的制备方法是采用磁控溅射法，是通过下述步骤完成的：
步骤一、将氧化镓陶瓷靶放到设置在真空室底部的靶台上，氧化铝陶瓷靶置于氧化镓陶瓷靶上；
步骤二、然后将衬底设置在氧化镓陶瓷靶的正上方，所述衬底与所述氧化铝陶瓷靶之间留有间距；
步骤三、然后采用真空磁控溅射进行沉积后，再高温退火，空气中冷却至室温；即得到(AlxGa1-x)2O3合金薄膜；
其中，步骤一所述氧化镓陶瓷靶呈圆柱状，直径为60mm，厚度为5mm；所述氧化铝陶瓷靶呈圆柱状，直径为10~50 mm，厚度为1~5mm。
2.根据权利要求1所述一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，其特征在于步骤一所述氧化镓陶瓷靶与氧化铝靶共轴放置。
3.根据权利要求1所述一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，其特征在于步骤二所述衬底与所述氧化铝陶瓷靶之间的间距为10cm。
4.根据权利要求1或2所述一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，其特征在于步骤三所述溅射功率为120~200W，溅射工作压强为1.0~2.0Pa，所述工作气氛为氧氩混合气，氧气和氩气的流量比为（2~6）: （40~36），溅射时间为0.5~10h。
5.根据权利要求1或2所述一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，其特征在于步骤三所述溅射功率为140W，溅射工作压强为1.2Pa，所述工作气氛为氧氩混合气，氧气和氩气的流量比为4: 38，溅射时间为2h。
6.根据权利要求1或2所述一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，其特征在于步骤三所述高温退火的温度控制在600~1000℃，高温退火的时间在2~5h。
7.根据权利要求1或2所述一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，其特征在于步骤三所述高温退火的温度控制在1000℃，高温退火的时间在2h。
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