[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具有：

基板；

布线，该布线设置于所述基板上；

氮化钛膜，该氮化钛膜设置于所述布线上；

氧化膜，该氧化膜设置于所述氮化钛膜上；

氮化硅膜，该氮化硅膜设置于所述氧化膜上；和

焊盘部，该焊盘部形成在形成于所述氮化硅膜的第1开口部与形成于所述氮化钛膜的第2开口部在俯视时重叠的位置、并且是形成于所述氧化膜的第3开口部的俯视内侧的位置，该焊盘部是所述布线露出而成的，

该半导体装置在配置于所述第3开口部的俯视内侧的所述氮化钛膜上相接地形成有所述氮化硅膜。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1开口部与所述第2开口部在俯视时重叠的所述位置与所述第3开口部的内壁的最短距离为0.8μm～9.0μm。

3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

该制造方法包括下述工序：

布线工序，该工序在基板上形成布线；

防反射膜形成工序，该工序在所述布线上形成氮化钛膜；

第3开口部形成工序，该工序在所述氮化钛膜上形成氧化膜并图案化，由此形成贯通所述氧化膜并且在底面露出所述氮化钛膜的第3开口部；

保护膜形成工序，该工序在所述氧化膜上和所述第3开口部上形成氮化硅膜；和

焊盘部形成工序，该工序利用相同的蚀刻气体对所述氮化硅膜和所述氮化钛膜连续地进行蚀刻，由此在所述第3开口部的俯视内侧的位置设置贯通所述氮化硅膜和所述氮化钛膜并且在底面露出所述布线的焊盘部。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述焊盘部形成工序中，在形成于所述氮化硅膜的第1开口部与形成于所述氮化钛膜的第2开口部在俯视时重叠的位置与所述第3开口部的内壁的最短距离为0.8μm～9.0μm的位置，设置焊盘部。