[发明专利]一种交联CQAs薄膜的制备方法及其在压电传感器中的应用

权利要求书

1.一种交联CQAs薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将CQAs粉末加入去离子水中，在室温下，机械搅拌获得透明均匀CQAs溶液；将氢氧化钠加入CQAs溶液中，调节pH=10；将环氧氯丙烷液体加入到CQAs溶液中，在70℃下，磁力搅拌2~5 h得到淡黄色粘稠状溶液；将氯化氢加入至淡黄色粘稠状溶液中，调节pH=7，然后将溶液倒入透析袋中，透析72h；透析过后，将淡黄色粘稠状溶液倒入敞口容器内，然后将敞口容器置于烘箱内，抽真空至0.09 MPa，升温至50℃后，恒温干燥6 h，获得交联CQAs薄膜。

2.权利要求1所述的一种交联CQAs薄膜的制备方法得到的交联CQAs薄膜作为抗菌层在压电传感器中的应用。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述压电传感器为PVDF-TrFE传感器。

4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述交联CQAs薄膜通过喷洒于其表面的去离子水贴覆于PVDF-TrFE传感器表面。

5.根据权利要求3或4所述的应用，其特征在于，所述PVDF-TrFE传感器的制备方法包括如下步骤：

将PVDF-TrFE固体和N,N-二甲基甲酰胺，在室温下，机械搅拌60min获得透明粘稠状的PVDF-TrFE溶液；然后将PVDF-TrFE溶液置于真空干燥箱中，抽真空至0.09 MPa后，静置60min以除去溶液中的气泡；吸取PVDF-TrFE溶液滴到ITO-PEN固体的中央，将ITO-PEN固体固定并以500 r/min转速旋转18 s，然后以2000 r/min转速旋转60 s；重复滴加及旋转步骤，获得具有多层结构的PVDF-TrFE膜；然后将带有PVDF-TrFE膜的ITO-PEN固体置于烘箱内，抽真空至0.09 MPa，升温至140℃后，恒温退火1 h；

吸取PEDOT:PSS导电液体滴到带有PVDF-TrFE膜的ITO-PEN固体的中央，将ITO-PEN固体固定并以转速200 r/min旋转18 s，然后以转速1000 r/min旋转60 s；重复滴加及旋转步骤，获得具有多层结构的PEDOT:PSS膜；将带有PEDOT:PSS膜和PVDF-TrFE薄膜的ITO-PEN固体置于烘箱内，抽真空至0.09 MPa，升温至80℃后，恒温退火30min；以PEDOT:PSS膜作为上电极，以ITO-PEN固体作为下电极，在上下电极表面错开引出电极，然后在ITO-PEN固体表面涂抹薄层环氧树脂，在室温下静置48 h，完成封装，获得PVDF-TrFE传感器。