[发明专利]一种充电锁定电路及其锂电池电源保护板在审
| 申请号: | 201810197855.6 | 申请日: | 2018-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN108233489A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
| 发明(设计)人: | 姚启振;张圣 | 申请(专利权)人: | 深圳大力神科技有限公司 |
| 主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H7/18 |
| 代理公司: | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 李鑫 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 充电 放大电路单元 电路 锁定 锂电池保护 锂电池电源 充电回路 反复充电 负极电压 控制管脚 漏极 源极 断开 放大 锂电池充电器 电池保护板 爆炸危险 电池电压 快速锁定 保护板 锂电池 放电 电池 | ||
1.一种充电锁定电路,其特征在于,包括放大电路单元、N型MOS管Q3以及P型MOS管Q4,锂电池充电器的负极电压通过所述放大电路单元放大后通过连接到所述N型MOS管Q3的源极,所述N型MOS管Q3的漏极与锂电池保护IC芯片的充电MOSFET控制管脚连接;所述放大电路单元放大后的所述负极电压连接到所述P型MOS管Q4的漏极连接,所述P型MOS管Q4的源极与所述锂电池保护IC芯片的放电MOSFET控制管脚连接。
2.根据权利要求1所述的一种充电锁定电路,其特征在于,所述二级放大电路包括晶体管Q1和晶体管Q2,所述晶体管Q1的发射极和所述晶体管Q2的集电极连接后与负极电压连接,所述晶体管Q1的集电极与所述晶体管Q2的基极连接,所述晶体管Q1的基极与所晶体管Q1的发射极之间连接一阻抗电容C1,所述晶体管Q1的基极连接一偏置电阻R1后接地;所述晶体管Q2的发射极输出放大的所述负极电压信号。
3.根据权利要求2所述的一种充电锁定电路,其特征在于,所述阻抗电容C1并联一二极管D1,所述二极管D1的正极与所述晶体管Q1的发射极连接,所述二极管D1的负极与所述晶体管Q1的基极连接;所述二极管D1上并联一控制开关J3。
4.根据权利要求3所述的一种充电锁定电路,其特征在于,所述晶体管Q1是PNP型三极管,所述晶体管Q2是NPN型三极管。
5.根据权利要求3所述的一种充电锁定电路,其特征在于,所述晶体管Q2的集电极与所述N型MOS管Q3的源极连接,所述N型MOS管Q3的源极和栅极之间并联设置有偏置电阻R2、阻抗电容C2以及;所述N型MOS管Q3的漏极连接一二极管D3,所述二极管D2的正极与所述锂电池保护IC芯片的充电MOSFET控制管脚连接。
6.根据权利要求5所述的一种充电锁定电路,其特征在于,所述N型MOS管Q3的栅极与所述P型MOS管Q4的漏极连接,所述P型MOS管Q4的源极和栅极之间并联有偏置电阻R4和阻抗电容C3,所述P型MOS管Q4的源极串联一电阻R5后与所述锂电池保护IC芯片的放电MOSFET控制管脚连接。可选地,所述N型MOS管Q3的栅极与所述P型MOS管Q4的漏极之间还串联电阻R3和二极管D4,所述二极管D4的正极与所述P型MOS管Q4的漏极连接。
7.一种锂电池电源保护板,其特征在于,包括锂电池保护IC芯片、充电MOS控制电路、放电MOS控制电路以及过压欠压比较电路,所述锂电池保护IC芯片通过所述过压欠压比较电路与电池组连接,所述充电MOS控制电路与所述锂电池保护IC芯片的充电MOSFET控制管脚连接,所述放电MOS控制电路与所述锂电池保护IC芯片的放电MOSFET控制管脚连接;所述锂电池保护I C芯片的充电MOSFET控制管脚和放电MOSFET控制管脚之间还设置有如权利要求1-6任意一项所述的充电锁定电路。
8.根据权利要求7所述的一种锂电池电源保护板,其特征在于,所述充电MOS控制电路是由分别连接锂电池充电器的负接头与所述充电MOSFET控制管脚的晶体管QC1组成;所述放电MOS控制电路是由分别连接负载的负接头与所述放电MOSFET控制管脚的晶体管QD1组成。
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