[发明专利]压电薄膜传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种压电薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

S100，提供一种压电薄膜层状结构(100)，所述压电薄膜层状结构(100)包括：

基底(110)，所述基底(110)包括第一表面(111)和与所述第一表面(111)相对的第二表面(112)；

第一绝缘层(120)，设置于所述第一表面(111)，所述第一绝缘层(120)包括至少一个第一绝缘层第一部分(121)和至少一个第一绝缘层第二部分(122)；当所述第一绝缘层(120)包括一个所述第一绝缘层第一部分(121)和一个所述第一绝缘层第二部分(122)时，所述第一绝缘层第一部分(121)和所述第一绝缘层第二部分(122)直接相邻设置；当所述第一绝缘层(120)包括两个或两个以上所述第一绝缘层第一部分(121)时，相邻的两个所述第一绝缘层第一部分(121)之间间隔一个所述第一绝缘层第二部分(122)；

压电薄膜器件(140)，设置于所述第一绝缘层第二部分(122)，并且设置于所述第一绝缘层(120)远离所述基底(110)的表面；以及

第二绝缘层(130)，设置于所述第二表面(112)；

制备所述压电薄膜器件(140)的具体步骤包括：

S131，在所述第一绝缘层(120)远离所述基底(110)的表面涂覆光刻胶(150)，对所述光刻胶(150)进行光刻，然后沉积第一电极层；

S132，对所述第一电极层光刻、剥离，在所述第一绝缘层(120)远离所述基底(110)的表面形成多个间隔设置的第一电极(141)；

S133，在所述第一电极(141)远离所述第一绝缘层(120)的表面以及所述第一绝缘层(120)未被所述第一电极(141)覆盖的表面旋涂压电薄膜层(142)，在所述压电薄膜层(142)表面涂覆光刻胶(150)，并对所述光刻胶(150)进行光刻；

S134，对所述压电薄膜层(142)进行热处理；

S135，对所述压电薄膜层(142)进行湿法腐蚀，去除位于所述第一绝缘层(120)未被所述第一电极(141)覆盖的表面的所述压电薄膜层(142)；

S136，在未被所述第一电极(141)覆盖的所述第一绝缘层(120)的表面涂覆光刻胶(150)，然后在所述压电薄膜层(142)远离所述第一电极(141)的表面沉积第二电极层；以及

S137，对所述第二电极层进行光刻、剥离，去除位于所述第一绝缘层(120)未被所述第一电极(141)覆盖的第二电极层，从而在每个所述压电薄膜层(142)远离所述第一电极(141)的表面形成第二电极(143)；

S200，利用干法刻蚀将与所述第一绝缘层第二部分(122)对应位置的所述第二绝缘层(130)刻蚀掉，并漏出与所述第一绝缘层第二部分(122)对应位置的所述第二表面(112)；其中，与所述第一绝缘层第二部分(122)对应位置为向所述压电薄膜层状结构(100)的层叠方向投影，与所述第一绝缘层第二部分(122)投影重合的位置；以及

S300，利用干法刻蚀沿所述基底(110)漏出的所述第二表面(112)进行刻蚀，刻蚀深度等于所述基底(110)的厚度，沿着刻蚀深度的方向，所述基底(110)被刻蚀的形状为矩形，并且在所述第一部分(121)的一个表面设置所述压电薄膜器件(140)，在所述第一部分(121)的另一个表面不设置所述基底(110)及所述第二绝缘层(130)；在所述第二部分(122)的一个表面不设置所述压电薄膜器件(140)，在所述第二部分(122)的另一个表面设置所述基底(110)及所述第二绝缘层(130)，以使得向所述压电薄膜层状结构(100)的层叠方向投影时，所述压电薄膜器件(140)的投影与所述基底(110)的投影不重叠，并且所述压电薄膜器件(140)的投影与所述第二绝缘层(130)的投影不重叠。

2.如权利要求1所述的压电薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述S100中，所述压电薄膜层状结构(100)的制备方法包括：

S110，提供一基底(110)，所述基底(110)具有第一表面(111)和与所述第一表面(111)相对的第二表面(112)；

S120，在所述第一表面(111)沉积形成第一绝缘层(120)，并在所述第二表面(112)沉积形成第二绝缘层(130)；以及

S130，在所述第一绝缘层(120)远离所述基底(110)的表面，形成多个间隔设置的压电薄膜器件(140)。