[发明专利]包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，包含：

第一金属层，该第一金属层包含第一介电层内的第一金属线；

第二金属层，该第二金属层包含第二介电层内的第二金属线，该第二金属层是在该第一金属层上方；

第一通孔互连结构，延伸通过该第一金属层且通过该第二金属层，其中，该第一通孔互连结构邻接该第一金属线的第一侧端及该第二金属线的第一侧端，以及其中，该第一通孔互连结构是垂直均匀结构且包含第一金属；以及

绝缘体，该绝缘体被配置在该第一通孔互连结构的该第一金属上方，其中，该绝缘体与该第一通孔互连结构形成于同一通孔开口中。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，还包含：

第三金属层，该第三金属层包含第三介电层内的第三金属线，该第三金属层是在该第二金属层上方；

第四金属层，该第四金属层包含第四介电层内的第四金属线，该第四金属层是在该第三金属层上方；以及

第二通孔互连结构，延伸通过该第三金属层且通过该第四金属层，其中，该第二通孔互连结构邻接该第三金属线的第一侧端及该第四金属线的第一侧端，该第二通孔互连结构被垂直对齐该第一通孔互连结构且包含第二金属。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，其中，该第二金属不同于该第一金属。

4.如权利要求3所述的集成电路结构，其中，该绝缘体被配置在该第一金属与该第二金属之间。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，还包含：

第三金属层，该第三金属层包含第三介电层内的第三金属线，该第三金属层是在该第二金属层上方，其中，该绝缘体邻接该第三金属线的第一侧端。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，还包含：

第三金属层，该第三金属层包含第三介电层内的第三金属线，该第三金属层是在该第二金属层上方；以及

第二通孔互连结构，延伸通过该第三金属层及该第二金属层，该第二通孔互连结构邻接该第二金属线的第二相对侧端且邻接该第三金属线的第一侧端，且该第二通孔互连结构包含第二金属。

7.如权利要求6所述的集成电路结构，其中，该第二金属是与该第一金属不同的成分。

8.一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：

形成多个垂直堆栈的金属层，该多个垂直堆栈的金属层中的每一金属层包含介电层内的至少一金属线；

在形成该多个垂直堆栈的金属层之后，形成通过该多个垂直堆栈的金属层的第一通孔开口，其中，该第一通孔开口露出第一金属层中的第一金属线的第一侧端及第二金属层中的第二金属线的第一侧端；

以第一金属填充该第一通孔开口的一部分，使该第一金属邻接该第一金属线的该第一侧端及该第二金属线的该第一侧端；以及

在该第一通孔开口中且在该第一金属上方形成第一绝缘体。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该第一通孔开口的该部分的该填充步骤包含：

以第二绝缘体填充该第一通孔开口到低于该第一金属线及该第二金属线的该第一侧端的高度；以及

在该第一通孔开口内的该第二绝缘体上方形成该第一金属，使该第一金属邻接该第一金属线的该第一侧端及该第二金属线的该第一侧端。

10.如权利要求8所述的方法，其中，该第一通孔开口的该部分的该填充步骤包含：

在该第一通孔开口内的该第一绝缘体上方形成第二金属，其中，该第二金属邻接第三金属层中的第三金属线的第一侧端及第四金属层中的第四金属线的第一侧端，其中，该第三金属层是在该第二金属层上方，且该第四金属层是在该第三金属层上方。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该第二金属不同于该第一金属。