[发明专利]一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺有效
| 申请号： | 201810190366.8 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108511336B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘传利;李向坤;刘星义;徐金金;王琪 | 申请（专利权）人： | 科达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/331;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 塌陷 关断 栅极氧化层 新工艺 开通 离子 | ||
本发明提供一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺，其中所述的将GOX栅极氧化层，由原来的1000Å调至1200Å，将P型体区的硼离子注入由80KeV8E13调至80KeV9E13；优点为：有效改善IGBT芯片栅极塌陷，提高栅极塌陷的值，有充裕的范围让IGBT开通或关断，可降低误开通或误关断现象的出现。
技术领域
本发明涉及工控领域IGBT芯片，尤其涉及一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺。
背景技术
目前市场上工控领域用IGBT芯片的栅极塌陷值较低，终端客户使用时易造成IGBT开关过程中的误开通或误关断现象，引起变频器的炸机现象。
本工艺有效改善IGBT芯片栅极塌陷，提高栅极塌陷的值，有充裕的范围让IGBT开通或关断，可降低误开通或误关断现象的出现。
发明内容
本发明为了解决现有技术的不足，而提供一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺。
本发明的新的技术方案是：一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺，IGBT为绝缘栅双极型晶体管，由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成，将GOX栅极氧化层，由原来的1000Å调至1200Å，将P型体区的硼离子注入由80KeV8E13调至80KeV9E13。
所述的IGBT芯片的静态参数上表现为通过半导体分立器件测试系统测试所得栅压VTH提高，VTH由原来的5V提升至5.7V。
所述的IGBT芯片的动态测试上表现为通过动态测试系统和示波器测试所得栅极塌陷（下勾）值提高。
本发明的有益效果是：有效改善IGBT芯片栅极塌陷，提高栅极塌陷的值，有充裕的范围让IGBT开通或关断，可降低误开通或误关断现象的出现。
附图说明
图1为动态测试对比图。
具体实施例
一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺，IGBT为绝缘栅双极型晶体管，由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成，将GOX栅极氧化层，由原来的1000Å调至1200Å，将P型体区的硼离子注入由80KeV8E13调至80KeV9E13。
所述的IGBT芯片的静态参数上表现为通过半导体分立器件测试系统测试所得栅压VTH提高，VTH由原来的5V提升至5.7V。
所述的IGBT芯片的动态测试上表现为通过动态测试系统和示波器测试所得栅极塌陷（下勾）值提高。
1、通过半导体分立器件测试系统测试所得。
2、通过动态测试系统和示波器测试所得。
动态测试系统见图1。
示波器测试：工艺调整后的栅极塌陷（下勾）为7.8V，比工艺调整前的值6.2V明显提高。
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