[发明专利]电可编程熔丝结构以及半导体器件有效
| 申请号: | 201810189694.6 | 申请日: | 2018-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN108493182B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
| 发明(设计)人: | 陈面国 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L27/115 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 熔丝链 阴极 连接点处 电可编程熔丝 电迁移 半导体器件 导电分支 温度梯度 熔断 散热效率 爆裂 加成 分流 | ||
1.一种电可编程熔丝结构,其特征在于,包括一阴极、一熔丝链和一阳极,所述阴极和所述阳极经由所述熔丝链相互连接,并且所述阴极和所述熔丝链在一连接点处相互连接;其中,
所述阴极包含多条导电分支,以排列出一收敛侧和一发散侧,所述阴极的所述收敛侧连接至所述连接点以和所述熔丝链连接。
2.如权利要求1所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,在所述电可编程熔丝结构的编程过程中,多条所述导电分支中的电子流汇聚至所述阴极和所述熔丝链的所述连接点,以进入所述熔丝链中。
3.如权利要求2所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极上设置有用于连接电源的电源连接端,所述电源连接端设置在沿着电子流的流通方向上最远离所述连接点的所述导电分支上。
4.如权利要求1所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极中至少有两条所述导电分支与所述连接点连接,在所述电可编程熔丝结构的编程过程中,与所述连接点连接的导电分支中的电子流在所述连接点处汇聚。
5.如权利要求4所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极中的多个所述导电分支划分为N个分支组,N为大于等于1的正整数;其中,
第一个分支组中的导电分支与所述连接点P连接,第N个分支组中的导电分支与第N-1个分支组中的导电分支连接,以在所述电可编程熔丝结构的编程过程中,使电子流从第N个分支组中的导电分支经由第N-1个分支组中的导电分支逐级汇入到第一个分支组中的导电分支,并汇聚到所述连接点。
6.如权利要求5所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极的N个分支组中,第N个分支组中的导电分支的数量大于第N-1个分支组中的导电分支的数量,以在所述电可编程熔丝结构的编程过程中,使N个分支组中从第N个分支组至第一个分支组的电子流密度逐级递增。
7.如权利要求4所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极中的全部所述导电分支均与所述连接点连接,并往远离所述熔丝链的方向扩散延伸。
8.如权利要求1所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,沿着阴极电子流的流通路径往靠近所述连接点的方向上,所述阴极的有效宽度尺寸呈梯度递减,以在所述电可编程熔丝结构的编程过程中,使所述阴极的电子流密度在电子流的流通路径上往靠近所述连接点的方向呈梯度递增,其中,所述阴极的有效宽度尺寸为所述阴极中有参与电子流流通的部分的总宽度尺寸。
9.如权利要求8所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极中的多条所述导电分支构成网格状结构,并且所述网格状结构的网格数量往靠近所述连接点的方向依次减少。
10.如权利要求9所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述网格状结构的网格形状为矩形或菱形,所述网格状结构中靠近所述连接点的网格的顶角连接至所述连接点。
11.如权利要求9所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述网格状结构的网格形成为矩形或菱形,并且所述网格状结构中其网格的最短对角线的长度尺寸大于等于最小线距设计尺寸的4倍。
12.如权利要求1所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极中的多条所述导电分支构成网格状结构。
13.如权利要求1所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极中的多条所述导电分支构成梳子状结构。
14.如权利要求1所述的电可编程熔丝结构,其特征在于,所述阴极为以所述熔丝链的长度方向为轴线方向的对称结构。
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