[发明专利]表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构及制备方法在审
| 申请号： | 201810187105.0 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108459363A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张晓阳;张彤;王善江;薛小枚;周桓立 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B6/122;G02B6/124;G02B6/13 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210033 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面等离激元 纳米异质结构 微纳结构 电混合 晶种 传导 制备 半导体纳米结构 半导体结构 导电探针 等离激元 二维表面 高度一致 激励光源 极化激元 金属电极 金属离子 纳米光学 探针分子 光波 长径比 导电基 电压源 金属基 可控的 亚波长 原子力 出射 导波 水氧 显微 半导体 上游 生长 研究 | ||
1.一种表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构，其特征在于该结构包括：激励光源(1)，半导体纳米结构阵列(2)，二维表面等离激元微纳结构(3)，亚波长等离极化激元导波(4)，出射光波(5)，一维表面等离激元微纳结构(6)，导线(7)，金属电极(8)，导电基底(9)，探针分子(10)，原子力显微导电探针(11)和电压源(12)；其中，半导体纳米结构阵列(2)位于二维表面等离激元微纳结构(3)的上表面或位于一维表面等离激元微纳结构(6)的外表面，且形成紧密的肖特基接触，激励光源(1)垂直照射在二维表面等离激元微纳结构(3)的上表面或一维表面等离激元微纳结构(6)的外表面；探针分子(10)位于半导体纳米结构阵列(2)表面，亚波长等离极化激元导波(4)在二维表面等离激元微纳结构(3)或一维表面等离激元微纳结构(6)表面传播，出射光波(5)位于半导体纳米结构阵列(2)尖端；在二维表面等离激元微纳结构中，电压源(12)的输入端通过导线(7)与原子力显微导电探针(11)连接，电压源(12)的输出端通过导线(7)与导电基底(9)连接；在一维表面等离激元微纳结构中，电压源(12)的输入端与导电基底(9)连接，电压源(12)的输出端与金属电极(8)连接。
2.如权利要求1所述的表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构，其特征在于，所述的二维表面等离激元微纳结构(3)、一维表面等离激元微纳结构(6)，形貌为三角板、线或多面体的各向异性结构，尺寸为1-1000μm，供选材料为金、银、铜、铝或铂的一维或二维具有表面等离激元效应的金属晶体材料。
3.如权利要求1所述的表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构，其特征在于，所述的导电基底(9)，供选材料为铝、锡、铜、铁或锌。
4.如权利要求1所述的表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构，其特征在于，所述的半导体纳米结构阵列(2)，其中的半导体纳米结构形貌为纳米棒、纳米锥或纳米管的一维半导体纳米结构，长度为1-1000μm，直径为0.1-1000μm，间距为1-10000nm，或是零维、二维或复杂的螺旋晶体结构；供选材料为氧化锌、二氧化钛或三氧化二铝。
5.如权利要求1所述的表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构，其特征在于，所述的金属电极(8)，供选材料为金、银或铂材料；所述的导电基底(9)，供选材料为氧化铟锡ITO、掺氟氧化锡FTO或石墨等导电载体，厚度为100nm-10000μm。
6.如权利要求1所述的表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构，其特征在于，所述的探针分子(10)，供选材料为罗丹明6G、对巯基苯胺4-ATP或4巯基吡啶4-MPY。
7.如权利要求1所述的表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构，其特征在于，所述的激励光源(1)，为单波长光源或为宽光谱光源，波长范围为300nm-3000nm涵盖紫外到中红外波段。
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