[发明专利]一种沟槽栅场截止逆导型IGBT

权利要求书

1.一种沟槽栅场截止逆导型IGBT，其特征在于：在N- Base高电阻率半导体材料表面形成P Base区（1），在所述P Base区（1）表面沿器件横向方向分别并列交替形成N+发射区（31、32）和P+体接触区（41、42、43、44）；在N+发射区（31、32）紧临区域形成贯穿P Base区（1）、且底部与N- Base高电阻率半导体区相接触的沟槽区（2），沟槽区（2）由位于槽内壁的绝缘介质层（21）和由绝缘介质层（21）包围的导电材料（22）构成，由沟槽区（2）中的导电材料（22）引出栅电极，形成沟槽栅结构；所述N+发射区（31、32）和P+体接触区（41、42、43、44）的共同引出端为发射极电极；在N- Base高电阻率半导体区的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N+型区（52）和P+型区（51）形成集电区，所述N+型区（52）和P+型区（51）的共同引出端为集电极；所述集电区的顶部引入具有电场截止作用的重掺杂N型缓冲层（6），所述重掺杂N型缓冲层（6）沿器件横向方向分布，位于N- Base高电阻率半导体区和集电区之间。

2.根据权利要求1所述的沟槽栅场截止逆导型IGBT，其特征在于:所述P+体接触区（43、44）中部形成N- Base高电阻率半导体区并与发射极金属层之间形成肖特基接触，使得逆导型IGBT发射极与集电极间形成结势垒肖特基二极管结构（7）。

3.根据权利要求2所述的沟槽栅场截止逆导型IGBT，其特征在于：P+体接触区（43、44）的P+区在N- Base内的距离L需经过优化，且满足L>0，以在集电极与发射极加正向电压时，可在结势垒肖特基二极管结构（7）区域形成的耗尽区完全耗尽P+体接触区（43、44）之间的区域，形成对肖特基接触区的屏蔽，以提高结势垒肖特基二极管的耐压达到IGBT同等水平。

4.根据权利要求2或3所述的沟槽栅场截止逆导型IGBT，其特征在于：所述结势垒肖特基二极管结构（7）处于常规沟槽栅场截止IGBT的Dummy元胞区域，即该元胞内部与沟槽区（2）临近的N+重掺杂区域（33、34）、未形成与N+发射区（31、32）类似的N+ 重掺杂结构。