[发明专利]具有基本上直的接触轮廓的半导体结构

权利要求书

1.一种结构，包括：

阻挡材料，其包括位于与绝缘材料的界面处的上氧化层；以及

互连接触结构，其具有穿过所述阻挡材料的所述氧化层的基本上直的轮廓。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述互连接触结构延伸穿过所述绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的结构，其中所述绝缘材料是由SiCOH构成的电介质材料。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述氧化层为所述阻挡材料的厚度的约20％至30％。

5.根据权利要求1所述的结构，其中所述互连接触结构延伸到下方的布线结构。

6.根据权利要求1所述的结构，其中所述绝缘材料和所述氧化层具有基本相同的蚀刻速率。

7.根据权利要求6所述的结构，其中所述阻挡材料由氮化物材料构成。

8.根据权利要求6所述的结构，其中所述阻挡材料由掺杂氮的碳化硅构成。

9.根据权利要求8所述的结构，其中所述绝缘层是体SiCOH。

10.一种结构，包括：

形成在绝缘体材料中的布线层；

包括由氧化材料构成的上表面的阻挡材料；

直接位于所述上表面上的层间电介质材料；以及

延伸到所述布线层、延伸穿过所述阻挡材料、所述氧化材料和所述层间电介质材料的接触，所述接触在所述氧化材料内具有基本上直的轮廓。

11.根据权利要求10所述的结构，其中所述层间电介质材料由体SiCOH构成。

12.根据权利要求10所述的结构，其中所述氧化材料为所述阻挡材料的厚度的约20％至30％。

13.根据权利要求10所述的结构，其中所述层间电介质材料和所述氧化材料具有基本相同的蚀刻速率。

14.根据权利要求13所述的结构，其中所述阻挡材料由氮化物材料构成。

15.根据权利要求14所述的结构，其中所述阻挡材料由掺杂氮的碳化硅构成。

16.根据权利要求14所述的结构，其中所述氧化材料具有约12nm至25nm的厚度。

17.一种方法，包括：

在布线结构之上形成阻挡材料；

氧化所述阻挡材料以形成上氧化层；

在所述氧化层之上形成层间电介质材料；

将过孔蚀刻到所述层间电介质材料、所述氧化层和所述阻挡材料中以暴露所述布线结构，所述过孔具有穿过所述氧化层的基本上直的过孔轮廓；以及

在所述过孔内形成接触，所述接触具有穿过所述氧化层的基本上直的轮廓。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述层间电介质材料和所述氧化层具有基本相同的蚀刻轮廓。

19.根据权利要求18所述的方法，其中在用于形成所述阻挡材料的沉积室中执行氧化。

20.根据权利要求18所述的方法，其中所述氧化使用等离子体工艺执行。