[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

一种半导体封装装置包括第一介电层、第一导电垫及第一导电元件。所述第一介电层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一介电层界定从所述第一表面朝向所述第二表面渐缩的第一开口。所述第一导电垫在所述第一开口内且邻近于所述第一介电层的所述第二表面。所述第一导电元件的至少一部分在所述第一开口内。所述第一导电元件与所述第一开口的侧壁接合(例如，邻接)，所述第一导电元件具有面向所述第一导电垫的第一表面，其中所述第一导电元件的所述第一表面与所述第一导电垫隔开。

技术领域

本公开大体上涉及一种半导体封装装置及其制造方法。更特定来说，本公开涉及一种包含倒装芯片结合结构的半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

在半导体封装装置中，可通过倒装芯片结合技术将裸片或芯片附接到衬底。举例来说，在用于将裸片安装到衬底(例如，电路板或另一芯片)的倒装芯片结合工艺期间，将裸片翻转，使得裸片的导电柱与衬底的对应导电垫对准。然而，衬底的导电垫的相对粗糙表面或结合器或结合设备的不准确度可引起衬底的导电垫与裸片的导电柱之间的移位或未对准。移位或未对准可不利地影响安置在导电垫与导电柱之间的连接结构(例如焊料材料或焊料球)且导致例如裸片与衬底之间的开路的可靠性问题。

发明内容

在一或多个实施例中，一种半导体封装装置包括第一介电层、第一导电垫及第一导电元件。所述第一介电层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一介电层界定从所述第一表面面向所述第二表面渐缩的第一开口。所述第一导电垫在所述第一开口内且邻近于所述第一介电层的所述第二表面。所述第一导电元件的至少一部分在所述第一开口内。所述第一导电元件与所述第一开口的侧壁接合(例如，邻接)，所述第一导电元件具有面向所述第一导电垫的第一表面，其中所述第一导电元件的所述第一表面与所述第一导电垫隔开。

在一或多个实施例中，一种半导体封装装置包括介电层、导电垫、导电柱及第一金属间化合物(IMC)层。所述介电层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述介电层界定从所述表面面向所述第二表面渐缩的开口。所述导电垫在所述开口内且邻近于所述介电层的所述第二表面。所述导电柱的至少一部分在所述开口内，且所述导电柱具有面向所述导电垫的第一表面。所述第一IMC层在所述导电柱的所述第一表面上且从所述导电柱的所述第一表面延伸到所述导电柱中。所述第一IMC层与所述开口的侧壁接合(例如，邻接)。

在一或多个实施例中，一种半导体封装装置包括介电层、导电垫、导电柱及第一IMC 层。所述介电层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述介电层界定从所述第一表面面向所述第二表面渐缩的开口。所述导电垫在所述开口内且邻近于所述介电层的所述第二表面。所述导电柱的至少一部分在所述开口内。所述导电柱具有第一部分及在所述第一部分上的第二部分。所述导电柱的所述第一部分的宽度小于所述导电柱的所述第二部分的宽度。所述第一IMC层覆盖所述导电柱的所述第一部分。

附图说明

在与附图一起阅读时可从以下详述描述最佳地理解本公开的方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述清楚起见而任意地增大或减小。

图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图；

图1B说明根据本公开的一些实施例的图1A中的半导体封装装置的连接结构的放大图；

图1C说明根据本公开的一些实施例的图1A中的半导体封装装置的连接结构的放大图；

图1D说明根据本公开的一些实施例的图1A中的半导体封装装置的连接结构的放大图；

图1E说明根据本公开的一些实施例的图1A中的半导体封装装置的连接结构的放大图；

图1F说明根据本公开的一些实施例的图1A中的半导体封装装置的连接结构的放大图；