[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810180316.1 申请日: 2018-03-05
公开(公告)号: CN109427656B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 黄冠维;范振豊;陈育裕 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/528
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;张福根
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

一种半导体装置的制造方法,包含在金属部件上方形成第一图案化层,以及在第一图案化层上方沉积第一掩模层。将第一掩模层图案化以在其中形成第一组的一或多个开口,然后将第一掩模层薄化。将第一掩模层的图案转移至第一图案化层以在其中形成第二组的一或多个开口。第一图案化层可由硅或氧化物材料组成。当掩模层在第一图案化层上方时,可加宽第一图案化层中的开口。

技术领域

发明实施例是关于半导体制造技术,特别是有关于降低线扭曲(linewiggling)的半导体装置及其制造方法。

背景技术

为了在晶片上形成集成电路而使用微影制程。一般的微影制程包含施加光阻,以及在光阻上界定图案。图案化光阻中的图案在微影掩模中界定,且此图案由微影掩模的透明部分或不透明部分所界定。接着通过蚀刻步骤将图案化光阻中的图案转移至下方的部件,其中使用图案化光阻作为蚀刻掩模。在蚀刻步骤之后,移除图案化光阻。

随着集成电路的尺寸愈来愈小,在光图案化技术中使用的层堆叠的高的深宽比(aspect ratio)于图案转移至非晶硅基底的期间会导致不良的扭曲阻力 (wigglingresistance)。线扭曲(line wiggling)接着会导致图案缺陷。图案缺陷与线扭曲会破坏金属图案线并导致图案失效。

发明内容

本发明实施例提供半导体装置的制造方法,包含在金属部件上方形成第一图案化层,在第一图案化层上方沉积第一掩模层,将第一掩模层图案化,以在其中形成第一组的一或多个开口,将第一掩模层薄化,将第一掩模层的图案转移至第一图案化层,以在其中形成第二组的一或多个开口,以及蚀刻第一图案化层,以加宽第二组的一或多个开口。

本发明实施例提供半导体装置的制造方法,包含在基底上方形成介电层,其中基底具有一或多个有源装置,在介电层上方形成第一图案化层,在第一图案化层上方形成第一的三层,此第一的三层包含第一材料的顶层、第二材料的中间层和第三材料的底层,将顶层图案化以形成第一组开口,将顶层薄化以降低第一组开口的高度对宽度的比值,将顶层的图案转移至中间层以形成第二组开口,将中间层的图案转移至底层以形成第三组开口,通过第三组开口蚀刻第一图案化层以形成第四组开口,以及加宽第四组开口。

本发明实施例提供半导体装置,包含基底,其具有一或多个有源装置形成于其中,接触件耦接至一或多个有源装置中的第一有源装置,以及内连线位于接触件上方,其中内连线包含耦接至接触件的金属线,金属线具有与接触件重叠的第一部分,其中金属线的第一部分具有扭曲特征,金属线的第一部分的扭曲特性包含其中LERright对应于金属线的第一部分的右侧的线边缘粗糙度的测量,LERleft对应于金属线的第一部分的左侧的线边缘粗糙度的测量,以及LWR对应于金属线的第一部份的线宽粗糙度的测量,其中扭曲特性介于0.7至1.3之间。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图可更加理解本发明实施例的观点。应注意的是,根据本产业的标准惯例,附图中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上,可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸,以做清楚的说明。

图1至11绘示根据一些实施例,以自对准(self-aligned)双重图案微影 (doublepatterning)方法形成减少扭曲(wiggling)的金属线的各个中间步骤的示意图。

图12至21绘示根据一些实施例,以双重图案微影方法形成减少扭曲的金属线的各个中间步骤的示意图。

图22绘示根据一些实施例,根据一图案所形成的一系列减少扭曲的金属线的上视图。

图23至24绘示根据一些实施例,在半导体基底中形成半导体条的方法的各个中间步骤的示意图。

【符号说明】

10~基底;

11~晶体管;

12~栅极电极;

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