[发明专利]晶片的起伏检测方法和磨削装置在审
申请号: | 201810178283.7 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN108573889A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 清野敦志 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;B24B7/22;B24B27/00;B24B41/00;B24B41/06;B24B49/12;G01B11/30 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 磨削装置 检测 透明板 工作台 照射 测量装置 干涉条纹 检测晶片 照射光 磨削 种晶 测量 平坦 取出 加工 | ||
提供晶片的起伏检测方法和磨削装置,在使用磨削装置对晶片进行磨削的情况下,不用将晶片从磨削装置取出利用其他测量装置进行起伏的测量,防止用于加工的工序数增加。一种晶片的起伏检测方法,其中,该晶片的起伏检测方法具有如下的步骤:保持步骤,将晶片(W)保持在保持工作台(400)上;接触步骤,使平坦的透明板(50)与保持在保持工作台(400)上的晶片(W)接触;以及照射步骤,从透明板(50)侧照射光,通过在照射步骤中产生的干涉条纹(R)来检测晶片(W)的起伏。
技术领域
本发明涉及晶片的起伏检测方法和磨削装置,该检测方法对磨削前的晶片的被磨削面的起伏或磨削后的晶片的被磨削面的起伏进行检测,该磨削装置能够对晶片进行磨削并且能够检测该起伏。
背景技术
硅晶片等板状的被加工物在被磨削装置(例如,参照专利文献1)磨削而薄化至规定的厚度之后,通过切削装置等进行分割而成为各个器件芯片,并应用于各种电子设备等。
专利文献1:日本特开2009-094247号公报
在磨削中的加工条件不合适的情况下或在磨削装置的各构成要素或磨削磨具中存在任何异常的情况下,有时会在磨削后的晶片的被磨削面上产生因厚度不均而引起的起伏(因面的高低差而引起的形变)。并且,为了对磨削后的晶片的被磨削面或磨削前的晶片的被磨削面的起伏进行检测,以往一度将晶片从磨削装置取出而搬送到其他测量装置,通过该测量装置来进行晶片的起伏的测量。因此,存在用于加工的工序数增加的问题。
因此,在使用磨削装置对晶片进行磨削的情况下,存在如下的课题:不用将晶片从磨削装置取出利用其他测量装置进行起伏的测量,防止用于加工的工序数增加。
发明内容
本发明的目的在于提供晶片的起伏检测方法和磨削装置,在使用磨削装置对晶片进行磨削的情况下,不用将晶片从磨削装置取出利用其他测量装置进行起伏的测量,防止用于加工的工序数增加。
用于解决上述课题的本发明是晶片的起伏检测方法,该方法具有如下的步骤:保持步骤,将晶片保持在保持工作台上;接触步骤,使平坦的透明板与保持在该保持工作台上的晶片接触;以及照射步骤,从该透明板侧照射光,通过在该照射步骤中产生的干涉条纹来检测晶片的起伏。
并且,用于解决上述课题的本发明是一种磨削装置,其具有磨削单元和对晶片进行保持的卡盘工作台,其特征在于,该磨削装置还具有:平坦的透明板;保持单元,其对该透明板进行保持;移动单元,其使该保持单元接近或远离晶片;照射单元,其从该透明板侧照射光;以及拍摄单元,其对因光的照射而产生的干涉条纹进行拍摄。
本发明的晶片的起伏的检测方法具有如下的步骤:保持步骤,将晶片保持在保持工作台上;接触步骤,使平坦的透明板与保持在保持工作台上的晶片接触;照射步骤,从该透明板侧照射光,能够通过在照射步骤中产生的干涉条纹来检测晶片的起伏。并且,由于本发明的晶片的起伏的检测方法能够在磨削装置内实施,不会使磨削装置的装置结构变得复杂,所以不需要为了检测晶片的起伏而将晶片从磨削装置取出而搬送到其他测量装置,因此能够防止用于加工的工序数增加。
本发明的磨削装置具有:平坦的透明板;保持单元,其对透明板进行保持;移动单元,其使保持单元接近或远离晶片;照射单元,其从透明板侧照射光;以及拍摄单元,其对因光的照射而产生的干涉条纹进行拍摄,由此,能够在磨削装置内进行晶片的起伏的检测。因此,不需要为了检测晶片的起伏而将晶片从磨削装置取出而搬送到其他测量装置,能够防止用于加工的工序数增加。此外,由于能够在磨削装置内进行晶片的起伏的检测,所以能够迅速地注意到作为使晶片的被磨削面产生超过容许值的起伏的原因的、磨削装置的各构成要素(例如,磨削磨轮的旋转轴等)和磨削磨具的异常以及加工条件的异常。
附图说明
图1是示出磨削装置的一例的立体图。
图2是示出利用精磨削单元进行晶片的背面的精磨削的状态的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造