[发明专利]插入式连接器在审
| 申请号： | 201810177234.1 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108574161A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | U·蔡格迈斯特 | 申请（专利权）人： | 迪尔金属应用有限公司 |
| 主分类号： | H01R13/03 | 分类号： | H01R13/03 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许剑桦 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 插入式连接器 压入体 非晶体层 纳米晶体 涂覆 | ||
1.一种包括压入体(2)的插入式连接器(1)，所述压入体(2)涂覆有第一含Ni层(3)和第二含Ni层(4)；
其中，第一含Ni层(3)和/或第二含Ni层(4)是纳米晶体层或非晶体层。
2.根据权利要求1所述的插入式连接器，其中：第一含Ni层(3)和第二含Ni层(4)中的一个是亚光镍，第一含Ni层(3)和第二含Ni层(4)中的另一个是光亮镍。
3.根据权利要求1所述的插入式连接器，其中：第一含Ni层(3)或第二含Ni层(4)是非晶体层，它含有直至15％重量百分比的磷，特别是直至10％重量百分比的磷。
4.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：纳米晶体和/或非晶体层的厚度是0.1-3μm，特别是0.1-2.2μm，特别是0.1-1μm，特别是0.1-0.7μm，特别是0.1-0.3μm。
5.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：第三含Ni层(6)布置在第二含Ni层(4)的顶部上。
6.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：第二含Ni层(4)是微晶体，第三含Ni层(6)是纳米晶体或非晶体。
7.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：压入体(2)包括铜、铜合金或钢。
8.根据权利要求7所述的插入式连接器，其中：铜合金是由以下构成的合金：CuFe、FuFe2P、CuNiSn、CuNiSi、CuZn、CuSnZn、CuSn4、CuSn6或CuSn8。
9.根据前述任意一项权利要求所述的插入式连接器，其中：由Cu或Sn构成的中间层(5)布置在压入体(2)和第一含Ni层(3)之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迪尔金属应用有限公司，未经迪尔金属应用有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810177234.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
