[发明专利]柔性衬底、加工方法及装置有效
申请号: | 201810176646.3 | 申请日: | 2018-03-03 |
公开(公告)号: | CN108461631B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 徐征 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 魏朋 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 衬底 加工 方法 装置 | ||
本发明公开了一种柔性衬底、加工方法及应用,其中柔性衬底包括基底层,包括基底层,所述基底层包括第一柔性材料层和第一烧蚀材料层,所述第一柔性材料层和所述第一烧蚀材料层结合成两层结构;所述第一烧蚀材料层的比热容大于所述第一柔性材料层的比热容,所述第一烧蚀材料层的碳化温度小于或等于第一柔性材料层的碳化温度;基底层还包括第二烧蚀材料层。与现有技术相比,本发明柔性衬底在加工过程中,第二烧蚀材料层与第一烧蚀材料层的比热容大于第一柔性材料层,则可将多余的热量吸收;烧蚀材料具有吸收均匀完全的特点,可以避免在激光剥离过程中出现的由于激光能量波动,通过烧蚀吸收激光的能量,避免激光损坏第一基底层。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体是一种柔性衬底结构、用于制备显示器件的柔性衬底的方法及装置。
背景技术
由于柔性基底易发生变形,在显示基板的制备过程中,通常要在玻璃基板上形成柔性材料层,再使用激光将柔性材料与玻璃基底分离,在剥离过程中由于激光输出的不稳定性,有发生损坏柔性衬底的柔性材料层的风险;
对于低温多晶硅技术(LTPS),在激光退火工艺的过程中可能有激光穿过非晶硅层照射到柔性材料上,从而对柔性材料造成破坏;
为解决晶化过程中可能出现的激光损坏柔性基板PI膜层问题,现有技术则在PI膜层上加一层反射层。当激光照射在反射层后,会发生漫反射,而漫反射的激光的方向是不可控的,这样会导致a-硅层所接受的能量不均匀则晶化程度也不均匀,导致产品容易出现显示与功能性问题,如显示不均等。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足,而提供一种通过稳定吸收多余激光而保证基底柔性材料层在加工时不受损伤的柔性衬底、加工方法及应用。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
一种柔性衬底,包括基底层,其特征在于:所述基底层包括第一柔性材料层和第一烧蚀材料层,所述第一柔性材料层和所述第一烧蚀材料层结合成两层结构;所述第一烧蚀材料层的比热容大于所述第一柔性材料层的比热容,所述第一烧蚀材料层的碳化温度小于或等于第一柔性材料层的碳化温度。
所述第一烧蚀材料层的比热容与第一柔性材料层的比热容的关系为:
C3为第一柔性材料层的比热容;C1为第一烧蚀材料层的比热容;ΔT3为第一柔性材料层的变化温度,M3为第一柔性材料层的质量,ΔT1第一烧蚀材料层的变化温度,M1为第一烧蚀材料层的质量。
所述基底层还包括第二烧蚀材料层,所述第二烧蚀材料层、第一柔性材料层及第一烧蚀材料层结合成三层结构,其中第一柔性材料层位于第一烧蚀材料层与第二烧蚀材料层中间;所述第二烧蚀材料层的比热容大于所述第一柔性材料层的比热容,所述第二烧蚀材料层的碳化温度小于或等于第一柔性材料层的碳化温度。
所述第二烧蚀材料层的比热容与第一柔性材料层的比热容的关系为:
C2为第二烧蚀材料层的比热容;ΔT2为第二烧蚀材料层的变化温度,M2为第二烧蚀材料层的质量。
所述基底层还包括第二柔性材料层,第二柔性材料层、第二烧蚀材料层、第一柔性材料层及第一烧蚀材料层结合成四层结构,所述第二柔性材料层位于所述第一烧蚀材料层下方。
所述第一烧蚀材料层的厚度d1为:
所述第二烧蚀材料层的厚度d2为:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810176646.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:柔性显示基板、显示面板、显示装置及其制造方法
- 下一篇:钙钛矿复合结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择