[发明专利]气体供给装置、气体供给方法和成膜方法

权利要求书

1.一种气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，所述气体供给装置的特征在于，包括：

设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；

以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路；

存储部，其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力；和

控制部，其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力，能够在所述缓冲罐内的压力与所述原料容器内的压力没有差的状态、或者几乎没有差的状态下，向所述处理容器内供给包含所述原料气体的所述载气，

所述气体供给装置是能够实施ALD循环的装置，在所述ALD循环中将向所述处理容器内依次供给原料气体和将原料气体还原的还原气体的循环反复进行多次，

存储在所述存储部的所述缓冲罐内的压力，是基于所述ALD循环中的、至少包括最后的循环在内的多个循环中的在供给所述原料气体时的压力。

2.如权利要求1所述的气体供给装置，其特征在于：

包括向所述缓冲罐内供给稀释气体的稀释气体供给通路，

所述控制部将所述载气的流量与所述稀释气体的流量的合计流量保持为一定。

3.如权利要求1或2所述的气体供给装置，其特征在于：

在所述压力调节通路设置有压力控制阀，

所述控制部在控制所述缓冲罐内的压力时调节所述压力控制阀。

4.如权利要求1或2所述的气体供给装置，其特征在于：

所述原料是氯化钨的固体原料。

5.一种气体供给方法，其将使原料容器内的原料气化而生成的原料气体与载气一起暂时存积在缓冲罐内之后，向处理容器内供给，所述气体供给方法的特征在于：

控制对所述缓冲罐内进行排气的流量、和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力，能够在所述缓冲罐内的压力与所述原料容器内的压力没有差的状态、或者几乎没有差的状态下，向所述处理容器内供给包含所述原料气体的所述载气，

所述气体供给方法使用能够实施ALD循环的装置，在所述ALD循环中将向所述处理容器内依次供给原料气体和将原料气体还原的还原气体的循环反复进行多次，

所述进行了处理时的所述缓冲罐内的压力，是基于所述ALD循环中的、至少包括最后的循环在内的多个循环中的在供给所述原料气体时的压力。

6.一种成膜方法，反复进行原料气体供给步骤和还原气体供给步骤来成膜金属膜，其中，所述原料气体供给步骤将使原料容器内的原料气化而生成的原料气体与载气一起暂时存积在缓冲罐内之后，向处理容器内供给，所述还原气体供给步骤向所述处理容器内供给将所述原料气体还原的还原气体，所述成膜方法的特征在于，包括：

第一成膜步骤，反复进行所述原料气体供给步骤和所述还原气体供给步骤，在第一基片成膜所述金属膜；

存储步骤，存储所述第一成膜步骤的所述原料气体供给步骤中的所述缓冲罐内的压力；

对所述缓冲罐内进行减压的减压步骤；

调节步骤，在所述减压步骤之后，通过向所述缓冲罐内填充所述原料气体和所述载气，将所述缓冲罐内的压力调节为在所述存储步骤中所存储的所述压力，能够在所述缓冲罐内的压力与所述原料容器内的压力没有差的状态、或者几乎没有差的状态下，向所述处理容器内供给包含所述原料气体的所述载气；和

第二成膜步骤，在所述调节步骤之后，反复进行所述原料气体供给步骤和所述还原气体供给步骤，在不同于所述第一基片的第二基片成膜所述金属膜，

所述成膜方法使用能够实施ALD循环的装置，在所述ALD循环中将向所述处理容器内依次供给原料气体和将原料气体还原的还原气体的循环反复进行多次。