[发明专利]一种碳纳米管半导体屏蔽料及其制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管半导体屏蔽料，其特征在于，包括以下重量分数的原料：100份EVA树脂，10~15份导电炭黑，0.1~0.3份单壁碳纳米管，4~5份白油，0.2-0.5份抗氧剂，1~1.5份交联剂。

2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管半导体屏蔽料，其特征在于，所述EVA树脂在190℃、2.16 kg下熔融指数≤10.0 g/10min，VA含量18.0%。

3.根据权利要求1所述的一种碳纳米管半导体屏蔽料，其特征在于，所述单壁碳纳米管长度大于5μm，外径小于2nm，G/D比大于75。

4.根据权利要求1所述的一种碳纳米管半导体屏蔽料，其特征在于，所述导电炭黑的粒径为50~80nm。

5.根据权利要求1所述的一种碳纳米管半导体屏蔽料，其特征在于，所述抗氧剂为4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-甲基苯酚)、硫代二丙酸双月桂酯和四[β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸]季戊四醇酯中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种碳纳米管半导体屏蔽料，其特征在于，所述交联剂为双（1-甲基-1-苯基乙基）过氧化物或过氧化二异丙苯。

7.一种碳纳米管半导体屏蔽料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）密炼混合：按照重量份数计算，将100份EVA树脂，10~15份导电炭黑，0.1~0.3份单壁碳纳米管，4~5份白油，0.2~0.5份抗氧剂加入到密炼机中进行密炼混合；

（2）挤出造粒：步骤（1）的密炼混合料熔体采用单螺杆进行挤出，然后密炼混合料熔体通过500目滤网过滤后，采用水环热切方式进行造粒，并离心干燥；

（3）将步骤（2）所得的粒料在开炼机中熔融后，添加1~1.5重量份的交联剂，添加完毕后，薄通3~5遍，样品冷却并置于常温24小时后进行后续测试。

8.根据权利要求7所述的一种碳纳米管半导体屏蔽料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，密炼机转速为30~40rpm/min ，各原料在110^oC~115^oC下进行塑化共混。

9.根据权利要求7所述的一种碳纳米管半导体屏蔽料的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，单螺杆直径60mm，长径比大于38；单螺杆挤出机各区温度分别为：一区80~85^oC，二区85~95^oC，三区100~115^oC，机头95~105^oC。

10.根据权利要求7所述的一种碳纳米管半导体屏蔽料的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，开炼机的熔融温度为100^oC。