[发明专利]显示面板和显示装置及显示面板的驱动方法在审
| 申请号: | 201810172744.X | 申请日: | 2018-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN108511488A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
| 发明(设计)人: | 周小康;李梦真;逄辉;朱阳杰;徐海龙 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素单元 显示面板 像素单元组 第一基板 显示装置 驱动 多个阵列 色域显示 色纯度 功耗 排布 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一基板以及位于所述第一基板上的多个阵列排布的像素单元组,每一所述像素单元组包括第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元;
所述第一像素单元、所述第二像素单元和所述第三像素单元中的至少一个包括两个子像素单元,其中,所述两个子像素单元发出的光线的颜色相同,色纯度不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
所述显示面板还包括驱动电路,所述驱动电路分别与所述两个子像素单元相连,以驱动所述两个子像素单元不同时发光。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
在垂直于所述第一基板的方向上,所述两个子像素单元的微腔腔长不同,优选所述两个子像素单元的微腔腔长相差1-50nm。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于:
所述两个子像素单元均为红色子像素单元,其中色纯度较高的子像素单元的微腔腔长大于色纯度较低的子像素单元的微腔腔长;或者
所述两个子像素单元均为绿色子像素单元,其中色纯度较高的子像素单元的微腔腔长小于色纯度较低的子像素单元的微腔腔长;或者
所述两个子像素单元均为蓝色子像素单元,其中色纯度较高的子像素单元的微腔腔长小于色纯度较低的子像素单元的微腔腔长。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于:
每一所述子像素单元包括依次层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极,其中,所述第一电极为反射电极;
在垂直于所述第一基板的方向上,所述两个子像素单元的第一电极的厚度不同,和/或,所述两个子像素单元的发光功能层的厚度不同。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:
所述反射电极包括反射层和透明导电层,其中所述两个子像素单元的透明导电层在垂直于所述第一基板的方向上的厚度不同,优选所述透明导电层为氧化铟锡层。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:
所述发光功能层包括依次层叠设置的可选的空穴注入层、可选的空穴传输层、有机发光层、可选的电子传输层和可选的电子注入层;其中,所述两个子像素单元中可选的所述空穴注入层、可选的所述空穴传输层、所述有机发光层、可选的所述电子传输层和可选的所述电子注入层中的至少一层在垂直于所述第一基板的方向上的厚度不同。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于:
所述两个子像素单元的有机发光层采用的发光材料不同。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
所述第一像素单元、所述第二像素单元和所述第三像素单元沿第一方向依次排列;所述两个子像素单元沿所述第一方向排列;或者
所述第一像素单元、所述第二像素单元和所述第三像素单元沿第一方向依次排列;所述两个子像素单元沿第二方向排列;其中,所述第一方向和所述第二方向相互交叉;优选所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
11.一种显示面板的驱动方法,其特征在于,所述显示面板包括第一基板以及位于所述第一基板上的多个阵列排布的像素单元组,每一所述像素单元组包括第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元;
所述第一像素单元、所述第二像素单元和所述第三像素单元中的至少一个包括两个子像素单元,其中,所述两个子像素单元发出的光线的颜色相同,色纯度不同;
所述驱动方法包括:
获取预显示图像;
当所述预显示图像为高色域图像时,驱动所述显示面板的两个子像素单元中色纯度较高的子像素单元发光以显示所述预显示图像;当所述预显示图像为低色域图像时,驱动所述显示面板的两个子像素单元中色纯度较低的子像素单元发光以显示所述预显示图像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





