[发明专利]光谱仪以及用于光谱仪的方法

说明书

本发明公开了光谱仪以及用于光谱仪的方法，该光谱仪包括：布置在漂移室中的离子修改器，所述漂移室具有门，所述门被配置用来控制离子进入所述漂移室，所述离子修改器被配置用来修改进入所述漂移室的离子的一部分；以及控制器，所述控制器通信地连接到所述离子修改器，并配置成将所述离子修改器的操作与所述门的打开同步以选择离子的一部分，由样品形成的所述离子的一部分被修改，并通过中和至少一些其它离子来防止其它离子传向检测器。

本申请是申请日为2013年2月15日、申请号为201380009917.1、发明名称为“光谱仪、离子迁移率光谱仪及应用于光谱仪的方法”的中国专利申请的分案申请。

背景技术

离子迁移率光谱仪(IMS)可以通过电离材料(例如，分子，原子等等)并且测量作为结果的离子达到检测器花费的时间而识别来自感兴趣的样品的材料。离子的飞行时间与其离子迁移率关联，该离子迁移率与被电离的分子的质量和几何结构有关。检测器的输出可以可视地表现为峰高度对漂移时间的等离子体色谱图。

有时，可能难以识别等离子体色谱图中描绘的一些离子。污染物，操作条件，具有相似几何结构和质量的离子等等可能影响IMS的检测和识别离子的能力。例如，被污染的样品可能具有畸形的或比较小的峰高度。

发明内容

描述同步的离子修改系统和技术。离子修改器可以用于修改通过门进入漂移室的离子的一部分，该门控制离子进入漂移室。通信地连接到离子修改器的控制器被配置用来控制离子修改器以选择要被修改的离子的一部分。在实施例中，基于检测器对其它离子的先前响应，控制器选择该部分，该其它离子由形成离子的样品形成。例如，其它离子对应与光谱仪的先前操作中的峰关联的离子。

提供该总结以便以简化的形式介绍构思的选择，该构思的选择在下面在详细描述中被进一步描述。该总结不意图确定要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意图帮助确定要求保护的主题的范围。

附图说明

详细描述参考附图被描述。在图中，附图标记的最左数字标识附图标记在其中首次出现的图。在描述和图中在不同的情况中使用相同的附图标记可以指示相似或相同项目。

图1是根据本公开被配置用来实施离子修改器的光谱仪的图示。

图2A-D是根据本公开的光谱仪的图解图示。

图3A-C是指示根据本公开的离子修改器的示例操作的等离子体色谱图的图示。

图4是描绘检测程序的流程图，该检测程序实现要被修改的离子的分离。

具体实施方式

图1是诸如离子迁移率光谱仪(IMS)100的光谱仪的图示。虽然这里描述IMS，但将显然的是，多种不同类型的光谱仪可以受益于本公开的结构、技术和方法。本公开的意图是包含且包括这种改变。

如示出的IMS 100包括电离室102，该电离室通过门与漂移室104分离。门106可以控制离子从电离室102进入漂移室104。例如，门106被配置成具有电荷，该电荷被施加/降低以控制何时且什么离子可以进入漂移室104。门106可以包括任何合适的门，该任何合适的门包括但不限于Bradbury-Nielsen门和Tyndall Powell门。

如示出的IMS 100包括入口108，该入口用来从感兴趣的样品引入材料到电离室102。入口108可以使用多种样品引入途径。虽然可以使用空气的流(例如，空气流)，但IMS100可以使用多种其它流体和/或气体来将材料吸入该入口108。用来将该材料吸过该入口的途径包括使用风扇，加压气体，由流过漂移室的漂移气体产生的真空，等等。IMS 100可以基本上在周围压力下操作，虽然空气或其它流体的流用于将该材料引入电离室。