[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号: | 201810167755.9 | 申请日: | 2018-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN108538750B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
| 发明(设计)人: | 铃木启之;薮田贵士;野中纯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机构用于使喷嘴移动。控制部对旋转机构和移动机构进行控制,来执行扫描处理,在该扫描处理中,一边从喷嘴对进行旋转的基板供给蚀刻液,一边使喷嘴在基板上方的第一位置与比第一位置靠基板的外周侧的第二位置之间进行往复运动。另外,控制部一边变更第一位置一边多次执行扫描处理。
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往,已知一种基板处理装置,针对半导体晶圆、玻璃基板等基板,一边使基板旋转一边从配置于基板的上方的喷嘴向基板供给处理液,利用基板的离心力使处理液在基板的整个表面展开,来对基板进行处理。
在这种基板处理装置中,有时实施连续地进行多次扫描处理的连续扫描处理,其中,在该扫描处理中,一边使喷嘴喷出处理液,一边使喷嘴在位于基板的中心侧的第一位置与位于外周侧的第二位置之间进行往复运动。
在此,在专利文献1中记载了如下内容:在通过连续扫描处理对基板进行蚀刻处理的情况下,通过将上述第一位置设为相对于基板的中心偏离了30mm的位置,来抑制基板的中心处的蚀刻量,从而提高面内均匀性。
专利文献1:日本特开2015-103656号公报
发明内容
然而,在连续扫描处理中,可知作为往复动作的折返地点的第一位置的蚀刻量比其它位置的蚀刻量多。因此,在上述的现有技术中,在提高基板处理的面内均匀性这一点存在进一步改善的余地。
实施方式的一个方式的目的在于提供一种能够提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。
实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机构用于使喷嘴移动。控制部对旋转机构和移动机构进行控制,来执行扫描处理,在该扫描处理中,一边从喷嘴对进行旋转的基板供给蚀刻液,一边使喷嘴在基板上方的第一位置与比第一位置靠基板的外周侧的第二位置之间进行往复运动。另外,控制部一边变更第一位置一边多次执行扫描处理。
根据实施方式的一个方式,能够提高基板处理的面内均匀性。
附图说明
图1是示出本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。
图2是示出处理单元的概要结构的图。
图3是放大地示意性地示出由图2所示的处理单元的保持部保持着的晶圆的附近区域的图。
图4是处理单元的示意俯视图。
图5A是示意性地示出蚀刻液的喷出方法与蚀刻量之间的关系的图。
图5B是示意性地示出蚀刻液的喷出方法与蚀刻量之间的关系的图。
图5C是示意性地示出蚀刻液的喷出方法与蚀刻量之间的关系的图。
图6是用于说明第一实施方式所涉及的连续扫描处理的内容的图。
图7A是示出直接供给位置的图。
图7B是示出间接供给位置的图。
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