[发明专利]有机发光器件有效
申请号: | 201810167020.6 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN108511613B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 印守康;孙源埻;姜昊锡;沈明善;金晟汉;沼田真树;宫崎浩;李世渊;田顺玉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲;王华芹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 | ||
1.有机发光器件,包括:
第一电极;
面对所述第一电极的第二电极;以及
设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层,其中所述有机层包括发射层,
其中所述发射层包括热激活延迟荧光(TADF)发射体和主体,所述热激活延迟荧光发射体不同于所述主体,且所述主体不包括DPEPO,
所述热激活延迟荧光发射体满足条件1-1或条件1-2:
条件1-1
n1为1的条件,和
条件1-2
当n1为2或更大时,(I1/I2)×100(%)小于110%的条件,
其中,在条件1-1和条件1-2中,
任意单位的I1为在光致发光光谱1中在最短峰值发射波长处的发射强度,
1)当n2为1时,任意单位的I2为在光致发光光谱2中在与光致发光光谱1的最短峰值发射波长相同的发射波长处的发射强度,和2)当n2为2或更大时,任意单位的I2为在光致发光光谱2中在最短峰值发射波长处的发射强度,
光致发光光谱1为在具有在所述发射层中包括的主体的基体中掺杂有15体积百分数的所述热激活延迟荧光发射体并且具有50纳米的厚度的膜1的光致发光光谱,和
光致发光光谱2为在具有DPEPO的基体中掺杂有15体积百分数的所述热激活延迟荧光发射体并且具有50纳米的厚度的膜2的光致发光光谱:
DPEPO
其中n1为在光致发光光谱1中的能辨别的发射峰的数量,且n2为在光致发光光谱2中的能辨别的发射峰的数量。
2.如权利要求1所述的有机发光器件,其中
所述热激活延迟荧光发射体为由式1表示的化合物:
式1
R1-(D2)d1-D1-(L1)a1-A1,
其中,在式1中,
L1选自:
单键、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环戊烯基团、环己烯基团、环庚烯基团、苯基团、萘基团、芴基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、唑基团、异唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、异吲哚基团、吲哚基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲咯啉基团、苯并咪唑基团、苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、苯并唑基团、异苯并唑基团、三唑基团、四唑基团、二唑基团、三嗪基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、苯并咔唑基团、二苯并咔唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、氮杂吲哚基团、氮杂茚基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并呋喃基团、和氮杂二苯并噻吩基团;和
各自被选自如下的至少一个取代的环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环戊烯基团、环己烯基团、环庚烯基团、苯基团、萘基团、芴基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、唑基团、异唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、异吲哚基团、吲哚基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲咯啉基团、苯并咪唑基团、苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、苯并唑基团、异苯并唑基团、三唑基团、四唑基团、二唑基团、三嗪基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、苯并咔唑基团、二苯并咔唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、氮杂吲哚基团、氮杂茚基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并呋喃基团、和氮杂二苯并噻吩基团:氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、(C1-C20烷基)苯基、二(C1-C20烷基)苯基、三(C1-C20烷基)苯基、(C6-C20芳基)苯基、二(C6-C20芳基)苯基、三(C6-C20芳基)苯基、(C3-C20杂芳基)苯基、二(C3-C20杂芳基)苯基、吡啶基、(C1-C20烷基)吡啶基、二(C1-C20烷基)吡啶基、(C6-C20芳基)吡啶基、二(C6-C20芳基)吡啶基、(C3-C20杂芳基)吡啶基、二(C3-C20杂芳基)吡啶基、嘧啶基、(C1-C20烷基)嘧啶基、二(C1-C20烷基)嘧啶基、(C6-C20芳基)嘧啶基、二(C6-C20芳基)嘧啶基、(C3-C20杂芳基)嘧啶基、二(C3-C20杂芳基)嘧啶基、三嗪基、(C1-C20烷基)三嗪基、二(C1-C20烷基)三嗪基、(C6-C20芳基)三嗪基、二(C6-C20芳基)三嗪基、(C3-C20杂芳基)三嗪基、和二(C3-C20杂芳基)三嗪基,
a1为1-5的整数,
D1和D2各自为电子给体基团,
d1为0-5的整数,
A1为电子受体基团,和
R1选自:
氢、氘、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C5-C60碳环基团、和π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团;和
各自被选自如下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C5-C60碳环基团、和π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团:氘、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C5-C60碳环基团、(C1-C10烷基)C5-C60碳环基团、二(C1-C10烷基)C5-C60碳环基团、(苯基)C5-C60碳环基团、二(苯基)C5-C60碳环基团、(联苯基)C5-C60碳环基团、二(联苯基)C5-C60碳环基团、π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团、(C1-C10烷基)π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团、二(C1-C10烷基)π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团、(苯基)π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团、二(苯基)π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团、(联苯基)π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团、和二(联苯基)π电子贫化的不含氮的C2-C60杂环基团,
条件是,
i)d1为1-5的整数;或
ii)当d1为0时,A1选自由式3-6(1)、3-10(8)、和3-12(24)表示的基团:
其中,在式3-6(1)、3-10(8)、和3-12(24)中,
X41为N(R41)、C(R42)(R43)、O、或S,
R31、R32、R34-R37和R41-R43各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、(C1-C20烷基)苯基、二(C1-C20烷基)苯基、三(C1-C20烷基)苯基、(C6-C20芳基)苯基、二(C6-C20芳基)苯基、三(C6-C20芳基)苯基、(C3-C20杂芳基)苯基、二(C3-C20杂芳基)苯基、吡啶基、(C1-C20烷基)吡啶基、二(C1-C20烷基)吡啶基、(C6-C20芳基)吡啶基、二(C6-C20芳基)吡啶基、(C3-C20杂芳基)吡啶基、二(C3-C20杂芳基)吡啶基、嘧啶基、(C1-C20烷基)嘧啶基、二(C1-C20烷基)嘧啶基、(C6-C20芳基)嘧啶基、二(C6-C20芳基)嘧啶基、(C3-C20杂芳基)嘧啶基、二(C3-C20杂芳基)嘧啶基、三嗪基、(C1-C20烷基)三嗪基、二(C1-C20烷基)三嗪基、(C6-C20芳基)三嗪基、二(C6-C20芳基)三嗪基、(C3-C20杂芳基)三嗪基、和二(C3-C20杂芳基)三嗪基,和
*表示与相邻原子的结合位点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择