[发明专利]使用电压隔离通路进行拥挤感知缓冲的方法和装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

位于半导体材料表面上的半导体器件布置，其中所述半导体器件布置中的每个半导体器件与第一功率域相关联；

以网状图案在所述半导体材料表面上定义的多个电压通路，所述网状图案将所述半导体器件布置划分成多个群，其中每个电压通路包括所述表面上被保留用于放置与第二功率域相关联的电路的区域，所述第二功率域不同于所述第一功率域；以及

被配置成将所述第二功率域的第一缓冲器电连接到所述第二功率域的第二缓冲器的沉积导电材料网络，所述第一缓冲器位于所述电压通路中的第一电压通路中，而所述第二缓冲器位于所述电压通路中的第二电压通路中。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述电路包括一组缓冲器。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中每个电压通路的位置是在放置所述第二功率域的所述电路期间被预定义的。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一功率域独立于所述第二功率域。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述沉积导电材料网络能穿过所述半导体材料表面的任一部分，而所述电路仅位于所述电压通路中。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体器件布置能位于所述电压通路的任何未使用区域上。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电压通路不同于所述第二电压通路。

8.一种用于使用电压隔离在半导体装置中缓冲信号的方法，包括：

将第一功率域提供给位于所述半导体装置内的半导体材料表面上的半导体器件布置；

将第二功率域提供给布置成网状图案的多个电压通路，所述电压通路将所述半导体器件布置划分成群，并且其中所述第一功率域不同于所述第二功率域；以及

用沉积导电材料网络将第一缓冲器电连接到第二缓冲器，所述第一缓冲器位于所述电压通路中的第一电压通路中，而所述第二缓冲器位于所述电压通路中的第二电压通路中。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一功率域独立于所述第二功率域。

10.如权利要求8所述的方法，进一步包括在所述电压通路中放置所述第二功率域的附加电路，其中所述沉积导电材料网络能穿过所述半导体材料表面的任一部分，而所述附加电路仅位于所述电压通路中。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一电压通路不同于所述第二电压通路。

12.一种半导体装置，包括：

用于将第一功率域提供给位于所述半导体装置内的半导体材料表面上的半导体器件布置的装置；

用于将第二功率域提供给布置成网状图案的多个电压通路中的电路的装置，所述网状图案将所述半导体器件划分成群，其中所述第一功率域不同于所述第二功率域；以及

用于使用沉积导电材料网络将所述电路中的第一电路电连接到所述电路中的第二电路的装置，所述第一电路位于所述电压通路中的第一电压通路中，而至少所述第二电路位于所述电压通路中的第二电压通路中。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中所述电路包括一组缓冲器。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一功率域独立于所述第二功率域。