[发明专利]可重构片上集成变压器及其信号线电感值的调节方法有效
申请号: | 201810164198.5 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108447862B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 刘桂;吴文英;陈博;李理敏;施一剑 | 申请(专利权)人: | 温州大学 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/64 |
代理公司: | 33258 温州名创知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈加利 |
地址: | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底层金属 接地板 原边 电感 金属条 集成变压器 顶层金属 对称分布 副边电感 可重构片 信号线 半圈 副边 螺旋形金属 连接状态 通断状态 直流电压 螺旋型 条组件 侧墙 加载 | ||
1.一种可重构片上集成变压器,包括有由上至下分布设置的多层金属层,其中位于最上层的金属层为顶层金属层,位于最下层的金属层为底层金属层,其特征在于:顶层金属层上设置有两条信号线,该两条信号线均为由顶层金属层上的部分顶层金属构成的原边和副边电感;底层金属层上设置有分别正对应于所述两条信号线的正下方位置的原边底层金属条组件和副边底层金属条组件,原边底层金属条组件和副边底层金属条组件均包括有由底层金属构成的左侧底层金属条、中间底层金属条和右侧底层金属条;底层金属层上还设置有分别对应于原边底层金属条组件和副边底层金属条组件的外侧并由底层金属构成的原边接地板和副边接地板,原边接地板和副边接地板相互对称设置;可重构片上集成变压器的四角位置设置有由顶层金属到底层金属通过过孔连接而成的四块金属侧墙,原边接地板的左右两侧和副边接地板的左右两侧均连接有金属侧墙,连接于同一接地板的两块金属侧墙对称设置;所述的原边底层金属条组件中的左侧底层金属条、中间底层金属条和右侧底层金属条之间依次通过CMOS开关连接,所述的副边底层金属条组件中的左侧底层金属条、中间底层金属条和右侧底层金属条之间依次通过CMOS开关连接;原边底层金属条组件中的左侧底层金属条的左右两端与原边接地板的对应位置分别通过一个CMOS开关连接,原边底层金属条组件中的中间底层金属条的右端与原边接地板的对应位置通过一个CMOS开关连接,原边底层金属条组件中的右侧底层金属条的右端与原边接地板的对应位置通过一个CMOS开关连接;副边底层金属条组件中的左侧底层金属条的左右两端与副边接地板的对应位置分别通过一个CMOS开关连接,副边底层金属条组件中的中间底层金属条的右端与副边接地板的对应位置通过一个CMOS开关连接,副边底层金属条组件中的右侧底层金属条的右端与副边接地板的对应位置通过一个CMOS开关连接。
2.据权利要求1所述的一种可重构片上集成变压器,其特征在于:所述的原边和副边电感为半圈螺旋形电感。
3.一种基于CMOS开关调节如权利要求1所述的片上集成变压器的信号线电感值的方法,其特征在于:通过控制所述CMOS开关控制极的外接电压来控制CMOS开关的两个接线极的通断状态,进而改变原边底层金属条组件的各底层金属条与原边接地板的通断状态,以及,改变副边底层金属条组件中的各底层金属条与副边接地板之间的通断状态,进而改变两条信号线的电感值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的