[发明专利]电平移位电路

说明书

本发明公开了一种电平移位电路，包括：第一反相器输入端接电平移位电路输入端，第一反相器的第一参考连接端接电源电压低，第一反相器的第二参考连接端接地，第一反相器输出端接预放大电路的第二连接端；预放大电路其第一连接端接电平移位电路输入端，其第三连接端接第一信号，其第四连接端接第二信号，其第五连接端接输出锁存电路第一连接端，其第六连接端接输出锁存电路第二连接端，其第七连接端接电源电压高，其第八连接端接地；输出锁存电路其第三连接端接电源电压高，其第四连接端接电源电压低，其第五连接端接第二反相器输入端；第二反相器其第一参考连接端接电源电压高，其第二参考连接端接地，其输出端作为电平移位电路输出端。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种电平移位电路。

背景技术

低功耗电路设计广泛采用多个供电电源域，使得电平移位电路成为必不可少的部分。

为了做到低功耗，让MOS晶体管工作在亚阈值区的电路被广泛采用，供电电源电压接近或低于MOS晶体管的阈值电压。而外围其他电路仍然是较高的电源电压。使用传统的电平移位电路很难保证在这种高压差电路之间正确的信号通信。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种与现有技术相比能提供转换速度，并能使输出的逻辑电平更稳定的电平移位电路。

为解决上述技术问题，本发明提供的电平移位电路，包括：第一反相器INV1、第二反相器INV2、预放大电路P和输出锁存电路OP；

第一反相器INV1输入端连接电平移位电路输入端IN，第一反相器INV1的第一参考连接端连接电源电压低VDDL，第一反相器INV1的第二参考连接端连接地GND，第一反相器INV1输出端连接预放大电路P的第二连接端P2；

预放大电路P其第一连接端P1连接电平移位电路输入端IN，其第三连接端P3连接第一信号QB，其第四连接端连接第二信号Q，其第五连接端P5连接输出锁存电路OP第一连接端OP1，其第六连接端P6连接输出锁存电路OP第二连接端OP2，其第七连接端P7连接电源电压高VDDH，其第八连接端P8连接地GND；

输出锁存电路OP其第三连接端OP3连接电源电压高VDDH，其第四连接端OP4连接电源电压低VDDL，其第五连接端OP5连接第二反相器INV2输入端；

第二反相器INV2其第一参考连接端连接电源电压高VDDH，其第二参考连接端连接地GND，其输出端作为电平移位电路输出端OUT。

可选的，所述预放大电路P包括第一～第十MOS M1～M10；

第一～第四MOS M1～M4的第一端连接预放大电路P第六连接端P6；

第一MOS M1第二连接端连接第一MOS M1第三连接端、第二MOS M2第三连接端和第五MOS M5第一连接端，第二MOS M2第二连接端连接第七MOS M7第二连接端和预放大电路P第五连接端P5，第三MOS M3第二连接端连接第三MOS M3第三连接端、第四MOS M4第三连接端和第八MOS M8第一连接端，第四MOS M4第二连接端连接第十MOS M10第一连接端和预放大电路P第六连接端P6，第五MOS M5第二连接端连接第六MOS M6第一连接端，第八MOS M8第二连接端连接第九MOS M9第一连接端，第六MOS M6、第七MOS M7、第九MOS M9和第十MOSM10的第二连接端连接预放大电路P第八连接端P8；

第五MOS M5和第十MOS M10第三连接端连接预放大电路P第一连接端P1，第六MOSM6第三连接端连接预放大电路P第三连接端P3，第七MOS M7和第八MOS M8第三连接端连接预放大电路P的第二连接端P2，第九MOS M9第三连接端连接预放大电路P第三连接端P4。

可选的，所述输出锁存电路OP包括第十一～第十六MOS M11～M16；