[发明专利]一种在介电层中限定用于导电路径的图案的方法

权利要求书

1.一种在介电层中限定用于导电路径的图案的方法，所述方法包括：

在介电层上形成掩模层；

在掩模层上形成一组纵向且平行延伸的掩模特征件，各掩模特征件包括具有一对侧壁间隔体的芯轴，掩模特征件是隔开的，以使得在掩模特征件之间形成间隙；

使得有机旋涂层沉积来覆盖所述一组掩模特征件并填充所述间隙；

在有机旋涂层中蚀刻第一沟槽，所述第一沟槽延伸跨越至少一个亚组的所述间隙，并使得掩模层曝露；

以旋涂工艺使得平面化层沉积来覆盖有机旋涂层并填充第一沟槽；

通过蚀刻来减小平面化层和有机旋涂层的厚度直至掩模特征件的上表面被曝露，由此，平面化层的剩余材料以在所述间隙亚组的各间隙中形成离散的第一阻断掩模；

在减小平面化层和有机旋涂层的厚度之后：

使得有机旋涂层沉积来覆盖一组掩模特征件以及各第一阻断掩模；

在有机旋涂层中蚀刻第二沟槽，所述第二沟槽延伸跨越并暴露所述芯轴的至少一个子集，并且进一步将所述第二沟槽中的所述至少一个芯轴子集的每个芯轴相对于有机旋涂层选择性地蚀刻，以暴露掩模层，

以旋涂工艺使得平面化层沉积来覆盖有机旋涂层并填充第二沟槽；

通过蚀刻来减小平面化层和有机旋涂层的厚度直至掩模特征件的上表面被曝露，由此，平面化层的剩余材料沿着所述至少一个亚组的每个芯轴形成离散的第二阻断掩模；

将一组芯轴相对于各第二阻断掩模选择性地去除，由此曝露各对侧壁间隔体之间的掩模层；并且

蚀刻各对侧壁间隔体之间的掩模层，其中各第二阻断掩模用作蚀刻掩模，由此形成掩模层中的第二组沟槽，至少一条所述沟槽在纵向方向上中断，其中，离散的第一阻断掩模的位置和离散的第二掩模的位置限定了导电材料的相交，

将掩模特征件之间的剩余有机旋涂材料相对于各第一阻断掩模选择性地去除，由此暴露掩模特征件之间的所述间隙中的掩模层；

蚀刻所述间隙中的掩模层，由此形成掩模层中的第一组沟槽，至少一条所述沟槽在纵向方向上中断；

通过对介电层进行蚀刻将掩模层中的所述沟槽转移至介电层中；以及

用导电材料填充介电层中的沟槽。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，掩模层中的第一组和第二组沟槽同时进行蚀刻。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除掩模特征件之间的剩余有机旋涂材料在形成一个或多个第二阻断掩模后进行。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，芯轴包括无定形硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，侧壁间隔体包括氧化硅或氮化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，平面化层由包含硅的旋涂材料形成。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，掩模层包括氮化钛、氧化钛、氧化铪、或氧化锆。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，掩模层包括第一材料层和第二材料层的堆叠体。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，第一材料层包括氮化钛、氧化钛、氧化铪、或氧化锆，并且第二材料层包括氮化硅或氧化硅。