[发明专利]体声波谐振器与电容器的单片集成结构及其制造方法、滤波器、双工器以及射频通信模块

权利要求书

1.一种体声波谐振器与电容器的单片集成结构，该体声波谐振器与电容器的单片集成结构包括：

衬底和第一电极，该衬底的上表面形成有凹槽，该第一电极形成在该衬底内且位于该凹槽的下方，其中，所述衬底是通过提供基底、在该基底的上表面形成所述第一电极之后再在所述基底上形成覆盖所述第一电极的外延层、以及刻蚀所述外延层以形成所述凹槽后由所述基底和所述外延层构成；

下电极，该下电极设置在所述衬底上并覆盖整个所述凹槽以在其与所述衬底之间形成空腔，且所述下电极与所述第一电极之间存在第一交叠区域，该第一交叠区域构成第一电容器；

压电层，该压电层设置在所述下电极上；

上电极，该上电极设置在所述压电层上。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器与电容器的单片集成结构，其中，所述空腔的下表面由所述第一电极的上表面构成。

3.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器与电容器的单片集成结构，该体声波谐振器与电容器的单片集成结构还包括：

第二电极，该第二电极设置在所述衬底上，该第二电极与所述第一电极之间存在第二交叠区域。

4.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器与电容器的单片集成结构，其中：

所述上电极从所述压电层延伸至所述衬底的上表面，所述上电极中位于所述衬底上表面的部分与所述第一电极之间存在第三交叠区域。

5.一种体声波谐振器与电容器的单片集成结构的制造方法，该制造方法包括：

提供基底并在该基底的上表面形成第一电极；

在所述基底上形成覆盖所述第一电极的外延层，该外延层与所述基底共同构成用于制造体声波谐振器的衬底；

刻蚀所述衬底在所述第一电极的上方形成凹槽；

使用牺牲材料填充所述凹槽并对所述衬底的上表面进行平坦化；

在所述衬底的上表面形成覆盖整个所述凹槽的下电极，该下电极与所述第一电极之间存在第一交叠区域；

在所述下电极上形成压电层以及在所述压电层上形成上电极；

去除所述牺牲材料在所述下电极和所述衬底之间形成空腔；

其中，所述第一交叠区域构成第一电容器。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，刻蚀所述衬底在所述第一电极的上方形成凹槽的步骤包括：

在所述衬底上形成掩膜暴露出要形成凹槽的区域，其中，所述要形成凹槽的区域位于所述第一电极的上方；

对所述衬底进行刻蚀，形成暴露出所述第一电极上表面的凹槽；

去除所述掩膜。

7.根据权利要求5或6所述的制造方法，该制造方法还包括：

在所述衬底的上表面形成覆盖所述凹槽的下电极的同时，在所述衬底的上表面形成与所述第一电极之间存在第二交叠区域的第二电极；或

在所述压电层上形成上电极的同时，在所述衬底的上表面形成与所述第一电极之间存在第二交叠区域的第二电极。

8.根据权利要求5或6所述的制造方法，其中：

所述上电极从所述压电层延伸至所述衬底的上表面，所述上电极中位于所述衬底上表面的部分与所述第一电极之间存在第三交叠区域。

9.一种体声波谐振器与电容器的单片集成结构，该体声波谐振器与电容器的单片集成结构包括：

衬底；

第一电极，该第一电极设置在所述衬底上且与所述衬底之间形成空腔；

介电层，该介电层设置在所述衬底上并对所述第一电极形成覆盖；

下电极，该下电极设置在所述介电层上位于所述空腔的上方、且与所述第一电极之间存在第一交叠区域，该第一交叠区域构成第一电容器；

压电层，该压电层设置在所述下电极上；

上电极，该上电极设置在所述压电层上。