[发明专利]将衬底接合到半导体发光器件的方法在审
| 申请号: | 201810161389.6 | 申请日: | 2012-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN108269756A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
| 发明(设计)人: | G.巴辛;J.E.伊普勒;P.S.马丁 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/60;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孙慧;陈岚 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体发光器件 半导体结构 衬底 晶片接合 接合 柔性膜 晶片 定位柔性 发光层 | ||
1.一种方法,包括:
在半导体发光器件的晶片上方定位柔性膜,每个半导体发光器件包括半导体结构,所述半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层;
经由所述柔性膜将衬底接合到所述半导体发光器件的晶片,其中在接合之后,所述柔性膜与所述半导体结构直接接触;以及
将所述晶片接合到所述衬底之后,划分所述晶片。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
每个半导体结构还包括设置于所述n型区上的第一金属接触和设置于所述p型区上的第二金属接触,其中所述第一和第二金属接触都形成于所述半导体结构的第一表面上;
所述柔性膜与所述半导体结构的与所述第一表面相反的第二表面直接接触。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述柔性膜包括波长转换材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述柔性膜包括硅树脂。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述柔性膜是透明的。
6.根据权利要求1所述的方法,其中接合包括:
将所述柔性膜接合到所述半导体结构;以及
将所述柔性膜接合到所述半导体结构之后,将所述柔性膜接合到所述衬底。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底为玻璃。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述晶片中每个半导体发光器件的半导体结构生长于单一生长衬底上,所述方法还包括:
将半导体发光器件的晶片接合到处置部;以及
将半导体发光器件的晶片接合到处置部之后,去除所述生长衬底。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括对通过去除所述生长衬底而暴露的半导体结构的表面进行纹理化。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述柔性膜被定位于所述纹理化的表面上方。
11.根据权利要求8所述的方法,还包括在经由所述柔性膜将衬底接合到半导体发光器件的晶片之后,去除所述处置部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





