[发明专利]数据存储装置及其操作方法以及包括该装置的电子系统有效

专利信息
申请号: 201810160806.5 申请日: 2018-02-27
公开(公告)号: CN108509352B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 金德洙;具珉佑;林亨泽;郑钟旭 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F13/16
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 闫红玉;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 数据 存储 装置 及其 操作方法 以及 包括 电子 系统
【说明书】:

提供一种数据存储装置、操作数据存储装置的方法以及包括数据存储装置的电子系统。所述数据存储装置包括:控制器,安装在基底上;多个存储器封装,被配置为由控制器控制并且经由M(其中,M为1至16的整数)个通道将数据发送到控制器并经由M个通道从控制器接收数据。当使用所述数据存储装置时,可减少发热局部集中的现象。

本申请要求于2017年2月28日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0026474号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的公开通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明构思涉及数据存储装置、操作数据存储装置的方法以及包括数据存储装置的电子系统,更具体地说,涉及用于防止发热局部集中的现象的数据存储装置,操作数据存储装置的方法以及包括数据存储装置的电子系统。

背景技术

由于数据存储装置(诸如,固态驱动器(SSD))具有将大量数据快速输入到数据存储装置以及将大量数据从数据存储装置快速输出的能力,所以对数据存储装置的需求日益增长。SSD包括控制器和许多非易失性存储器封装,因此,在SSD中可能由于发热而发生装置损坏和性能下降。所以,已经对减少在SSD中发热的量的方法开展了许多研究。

发明内容

本发明构思提供一种数据存储装置,由于减少了发热局部集中的现象,所以所述数据存储装置可显示提高的数据存储性能并减小对半导体装置的损害。

本发明构思还提供一种操作数据存储装置的方法,由于减少了发热局部集中的现象,所以所述数据存储装置可显示提高的数据存储性能并减小对半导体装置的损害。

本发明构思还提供一种包括数据存储装置的电子系统,由于减少了发热局部集中的现象,所以所述数据存储装置可显示提高的数据存储性能并减小对半导体装置的损害。

根据本发明构思的一方面,提供一种数据存储装置,包括:控制器,安装在基底上;多个存储器封装,每个存储器封装均具有至少一个半导体裸片,所示多个存储器封装被配置为由控制器控制并经由M个通道(其中,M为1至16的第一整数)将数据发送到控制器并经由M个通道从控制器接收数据。所述M个通道中的每个通道包括N条路径(其中,N为2至128的第二整数),属于一个通道的半导体裸片均被配置为当满足写入操作传送条件时,将写入操作传送到属于所述一个通道的另一个半导体裸片。

根据本发明构思的另一方面,提供一种数据存储装置,包括:控制器,安装在基底上;多个存储器封装,其中,所述多个存储器封装被配置为经由M个通道(其中,M为1至16的第一整数)将数据发送到控制器并经由M个通道从控制器接收数据,其中,所述M个通道中的每个通道包括N条路径(其中,N为2至128的第二整数)和P个存储器封装(其中,P为2至64的第三整数),控制器被配置为当经由一个通道执行数据的写入操作时,与P个存储器封装分别对应的路径的数量彼此相等。

根据本发明构思的另一方面,提供一种操作数据存储装置的方法,所述数据存储装置包括:控制器和多个存储器封装,所述多个存储器封装被配置为由控制器控制并经由M个通道(其中,M为1至16的第一整数)将数据发送到控制器并经由M个通道从控制器接收数据,其中,所述M个通道中的每个通道包括N条路径(其中,N为2至128的第二整数),所述多个存储器封装中的每个存储器封装均具有至少一个半导体裸片,其中,所述方法包括:对在属于一个通道的多个存储器封装中的一个存储器封装中包括的半导体裸片执行写入操作;确定是否满足封装切换条件;当确定满足封装切换条件时,对包括在属于所述一个通道的另一个存储器封装中的另一个半导体裸片执行下一个写入操作。

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