[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810159383.5 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108461592B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 插入层 发光二极管外延 空穴 多量子阱层 发光效率 量子 半导体技术领域 超晶格结构 电子复合 厚度减薄 依次层叠 外延片 减薄 减小 制造 发光 分担 阻挡 配合 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、插入层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，其特征在于，
所述低温P型层为掺Mg的AlGaN/GaN超晶格结构或掺Mg的AlGaN/InGaN超晶格结构，所述低温P型层中Mg的掺杂浓度大于或等于1*1020cm-3；所述插入层为AlN层，所述AlN层的厚度为2～10nm，所述插入层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层的总厚度为40～100nm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述低温P型层的厚度为10～30nm。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlGaN/GaN超晶格结构或所述AlGaN/InGaN超晶格结构的周期数均为N，4≤N≤10。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlGaN/GaN超晶格结构中AlGaN子层和GaN子层的厚度均为1～3nm，或者，所述AlGaN/InGaN超晶格结构中AlGaN子层和InGaN子层的厚度均为1～3nm。
5.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、插入层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，所述低温P型层为掺Mg的AlGaN/GaN超晶格结构或掺Mg的AlGaN/InGaN超晶格结构，所述低温P型层中Mg的掺杂浓度大于或等于1*1020cm-3；所述插入层为AlN层，所述AlN层的厚度为2～10nm，所述插入层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层的总厚度为40～100nm。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述低温P型层的生长温度为700～800℃。
7.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述低温P型层的厚度为10～30nm。
8.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述插入层的生长温度为800～900℃。
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